按技術劃分的下一代記憶體市場規模和份額{非揮發性記憶體(MRAM、FRAM、ReRAM、3D XPoint、NRAM)、揮發性記憶體(混合儲存立方體、高頻寬記憶體)};儲存類型(海量、嵌入式);尺寸(200mm、300mm、450mm);最終用戶(企業、消費性電子產品、汽車和運輸)- 全球供需分析、成長預測、統計報告 2024-2036

  • 报告编号: 3724
  • 发布日期: Oct 09, 2023
  • 报告格式: PDF, PPT

2024-2036 年全球市場規模、預測與趨勢亮點

下一代記憶體市場規模預計到 2036 年底將突破 1,320 億美元,在預測期內(即 2024-2036 年)複合年增長率為 28%。 2023年,下一代記憶體的產業規模約為30億美元。對通用儲存設備的需求不斷增長,這得益於與此類記憶體相關的眾多優勢,這可以歸因於市場的成長。 2023年至2028年期間,全球消費性電子儲存單元總量預計將成長690萬個。預計2028年產量將達26億枚。

此外,對高科技設備的需求增加是推動該地區下一代記憶體市場成長的主要因素。該地區許多國家的網路使用量有所增加。因此,網路使用者對先進運算產品的需求不斷增加,這反過來又將導致下一代儲存設備的生產。根據國際電信聯盟(ITU)提供的統計數據,2005年至2019年間,亞太地區使用網路的人數從3.55億增加到19.01億。


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下一代記憶體產業:成長動力與挑戰

成長動力

  • 越來越多地在嵌入式系統和物聯網設備中使用下一代記憶體技術 - MRAM和ReRAM等下一代記憶體具有高效能讀寫速度、低能耗和無波動性,使其適合在嵌入式系統和物在聯網中使用(物聯網)設備越來越多地取代傳統記憶體。根據最新的可用數據,連接的物聯網設備數量估計約為 151.4 億。到2030年,預計這一數字將增加一倍以上,達到294.2億。此記憶體可實現即時功能、提高能源效率並增強智慧設備中的資料儲存。
  • 人工智慧、大數據、機器學習和雲端運算的日益採用——由於大數據、人工智慧、機器學習、雲端運算等。每天大約創建 2.5 兆位元的資料。全球數據顯示,70% 的雲端運算最終用戶支出是由用戶產生的,每年總計約 5,000 億美元。
  • 對快速存取、低功耗儲存設備的需求增加——由於公司資料量的不斷增長以及雲端儲存解決方案的普及,高容量和快速儲存的記憶體變得越來越受歡迎。先進產品不斷提高其性能,這推動了半導體產業的很大一部分。滿足儲存設備高速、低功耗、大規模的需求。人們已經創建了不同的新型非揮發性記憶體,包括 RRAM、MRAM、FeRAM 和 NRAM。這些技術比傳統技術具有更大的規模、密度、速度和耐用性。在發出命令請求後,大多數新興記憶體技術需要 1 到 10 奈秒的時間才能輸出滿足指定要求。

挑戰

  • 下一代記憶體的製造成本持續上升——當今高密度DRAM和SRAM的生產成本非常高,而高位密度下一代記憶體的製造成本也很高。與傳統的記憶體儲存技術相比,新一代記憶體技術通常涉及更複雜的生產流程。這些過程可能需要使用專業設備、材料和專業知識,這可能會導致更高的成本。由於開發和製造第一階段的缺陷、製程變化或材料挑戰等問題,下一代儲存技術有可能顯示出較低的產量。結果,由於產量低,每個功能晶片的成本較高。
  • 儲存設備遭受熱衝擊的程度越高,損壞的可能性就越大,從而阻礙市場成長。
  • 由於缺乏標準化生產流程,設計成本上升可能會阻礙市場的成長。

下一代記憶體市場:主要見解

基準年

2023年

預測年份

2024-2036

複合年增長率

〜28%

基準年市場規模(2023 年)

~ 30 億美元

預測年度市場規模(2036 年)

~ 1,320 億美元

區域範圍

  • 北美洲(美國和加拿大)
  • 拉丁美洲(墨西哥、阿根廷、拉丁美洲其他地區)
  • 亞太地區(日本、中國、印度、印尼、馬來西亞、澳洲、亞太地區其他地區)
  • 歐洲(英國、德國、法國、義大利、西班牙、俄羅斯、北歐、歐洲其他地區)
  • 中東和非洲(以色列、海灣合作委員會北非、南非、中東其他地區和非洲)
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下一代記憶體分段

技術{非揮發性記憶體(MRAM、FRAM、ReRAM、3D XPoint、NRAM)、揮發性記憶體(混合儲存立方體、高頻寬記憶體)}

預計在預測期內,非揮發性記憶體領域將佔據全球新一代記憶體市場 68% 的份額。對更好、更有效和更便宜的記憶體解決方案的需求增加可歸因於該市場細分市場的成長。現代儲存技術的出現也消除了傳統非揮發性記憶體在可擴展性、穩定性和其他參數方面的限制。由於產生的資料量龐大,資料的全球累積需要更有效率的大容量儲存解決方案。每天產生約 328.77 TB 的資料。今年將產生約 120 ZB 的數據。非揮發性記憶體的速度和效能可與 DRAM 或 SRAM 等快閃記憶體技術相媲美,並且具有更高的儲存密度(例如 ReRAM 和 STT RAM PCM)。

儲存類型(海量、嵌入式)

預計大眾市場的下一代記憶體市場在預測期內將佔據約 52% 的最大份額。這是因為海量儲存通常用於資料中心、企業儲存系統、消費性電子產品和其他需要大容量、快速存取速度和可靠資料保留的應用。全球約有 8,000 個資料中心位置。全球資料中心約 20% 的容量使用了人工智慧。

我們對全球市場的深入分析包括以下部分:

科技

  • 非揮發性記憶體
  • 磁隨機記憶體
  • 鐵電記憶體
  • 記憶體
  • 3D X點
  • 非隨機記憶體
  • 揮發性內存
  • 混合儲存立方體
  • 高頻寬內存

儲存類型

  • 大量的
  • 嵌入式

尺寸

  • 200毫米
  • 300毫米
  • 450毫米

最終用戶

  • 企業
  • 消費性電子產品
  • 汽車與運輸

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下一代記憶體產業 - 區域概要

北美市場預測

預計北美下一代記憶體市場在預測期內將佔收入份額的 35%。北美地區率先採用了下一代技術和基礎設施。在美國,IT是經濟成長的重要推手。需要開發更有效的處理系統,以應對北美地區技術的快速發展和跨部門不斷增長的數據量。美國科技市場佔全球經濟總量的35%。 2023 年,美國科技業預計將成長 5.4%。美國擁有超過 585,000 家科技公司。

亞太地區市場統計

預計亞太地區在預測期內將佔據全球下一代記憶體市場約 28% 的份額。由於該地區主要消費性電子產品的採用,尤其是智慧型手機、平板電腦和筆記型電腦,預計該地區將強勁成長。報告顯示,2021年,亞太地區手機使用率將達74%,預計未來十年將增加至84%。此外,預計同年將有 62% 的行動用戶加入。

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主導下一代記憶體領域的公司

    • 英特爾公司
      • 公司簡介
      • 經營策略
      • 主要產品
      • 財務績效
      • 關鍵績效指標
      • 風險分析
      • 近期發展
      • 區域分佈
      • SWOT分析
    • 霍尼韋爾國際公司
    • 美光科技公司
    • 三星電子有限公司
    • SK海力士公司
    • Everspin 技術公司
    • 南亞科技股份有限公司
    • 金士頓科技公司
    • 英飛凌科技股份公司
    • 交叉開關公司

在新闻中

  • SK海力士公司在業界率先開發出12層HBM31產品,記憶體容量為24GB 2,目前為業界最大。繼2022年6月全球首款HBM3量產後,該公司成功開發出24GB封裝產品,記憶體容量較先前產品增加了50%。
  • 三星宣布開始大量生產第八代垂直 NAND (V-NAND) 晶片,以擴大下一代伺服器系統的儲存空間。這些晶片具有業界最高的位元密度和儲存容量。它們預計將使組織能夠擴展下一代企業伺服器的儲存容量,同時將其用途擴展到汽車市場。

作者学分:  Abhishek Verma


  • 报告编号: 3724
  • 发布日期: Oct 09, 2023
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常見問題 (FAQ)

對通用儲存設備的需求不斷增長,以及人工智慧、物聯網、大數據等技術的日益普及,是推動下一代儲存市場成長的主要因素。

預計下一代記憶體的市場規模在預測期內(即2024-2036年)複合年增長率將達到28%。

該市場的主要參與者包括霍尼韋爾國際公司、美光科技公司、三星電子有限公司、SK海力士公司、Everspin科技公司、南亞科技公司、金士頓科技公司等。

預計到 2036 年底,非波動性細分市場將獲得最大的市場規模,並顯示出巨大的成長機會。

預計到2036年底,北美地區市場將佔據最大的市場份額,並在未來提供更多商機。
下一代記憶體 市場報告範圍
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