磁阻 RAM (MRAM) 市場規模到 2023 年將超過 13.2 億美元，預計到 2036 年將突破 6820.3 億美元，在預測期內（即 2024-2036 年）複合年增長率超過 61.7%。 2024年，磁阻RAM的產業規模預計將達到19.7億美元。
物聯網（IoT）和雲端運算等數位化和技術進步的日益採用以及對電子產品的需求不斷增加是推動市場成長的一些重要因素。
成長動力
替代替代記憶體產品以促進市場成長的潛力
開發創新讀訪問記憶體產品（例如嵌入式和分離式 MRAM）的研究活動的增加推動了市場的成長。此外，磁阻 RAM (MRAM) 具有取代快閃記憶體和其他電可擦除可程式唯讀記憶體 (EEPROM) 的潛力。預計這將顯著擴大磁阻 RAM (MRAM) 市場。
電子設備和航太業需求不斷成長，推動市場成長
由於具有良好的物理特性，例如耐高輻射、在極端溫度下運作、防篡改和速度更快，電子、航空航太、國防和軍事系統對低成本、小尺寸、高能效的 MRAM 的需求不斷增加運算。此外，其在企業儲存解決方案中的應用減少了整體系統停機時間，這進一步刺激了市場成長。在此背景下，全球磁阻 RAM (MRAM) 市場預計將在預測期內成長。
挑戰
儘管技術進步，但設計和製造成本高昂，對市場成長有負面影響。此外，與記憶體相關的介面問題預計將阻礙未來市場的成長。
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基準年 |
2023年 |
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預測年份 |
2024–2036 |
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複合年增長率 |
61.7% |
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基準年市場規模（2023 年） |
13.2億美元 |
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預測年度市場規模（2036 年） |
6820.3億美元 |
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區域範圍 |
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該市場按應用細分為消費性電子、航空航太和國防、機器人、企業儲存、汽車等。在這些細分市場中，由於智慧型手機、筆記型電腦、電子穿戴裝置和數位相機越來越多地採用這些細分市場，消費性電子產品預計將在磁阻RAM (MRAM) 市場中以最高的速度成長，這些產品利用先進的儲存設備來確保低功耗。
我們對全球市場的深入分析包括以下部分：
依技術 |
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按產品分類 |
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按申請 |
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根據區域分析，磁阻RAM（MRAM）市場分為北美、歐洲、亞太地區、拉丁美洲以及中東和非洲地區等五個主要區域。
預計到2036 年，北美行業的磁阻RAM (MRAM) 市場將佔據大部分收入份額，因為企業正在轉向資料中心，以降低技術基礎設施成本並實現更快的運算、更低的功耗和更好的效能。由於資料中心和資訊技術中心基礎設施的進步，預計亞太地區的市場在預測期內將以最高的速度成長。此外，網路使用率的增加和雲端運算的普及，以及中國和印度等國家由於原材料充足和廉價勞動力而產生大量記憶體製造商，進一步增加了對磁阻RAM（MRAM）的需求市場。
· 2016 年 9 月： Spin Memory, Inc. (STT) 宣布已製造出小至 20nm 的垂直 MRAM 磁隧道結（[MTJ] 是 MRAM 儲存單元的主要組件，也是 MRAM 裝置的核心技術）。迄今為止報道的最小MTJ 之一。
作者学分: Abhishek Verma