Размер и доля рынка статической памяти с произвольным доступом (SRAM) по типам (асинхронная SRAM и синхронная SRAM); Размер памяти; и конечное использование - глобальный анализ спроса и предложения, прогнозы роста, статистический отчет на 2025-2037 гг.

Рынок статической оперативной памяти (SRAM): драйверы роста и проблемы

Драйверы роста

• Распространение бытовой электроники. Современным потребительским устройствам, таким как смартфоны, ноутбуки и планшеты, требуется высокоскоростная память для быстрой обработки данных и бесперебойного взаимодействия с пользователем. SRAM, известная своей низкой задержкой и высокой скоростью работы, идеально подходит для таких приложений, как кэш-память в процессорах и центральных процессорах. Умная бытовая техника, носимые устройства и другие устройства с поддержкой Интернета вещей часто используют SRAM из-за ее надежности и способности выдерживать прерывистые циклы включения. Потребительские устройства, такие как носимые устройства и сотовые телефоны, часто используют микросхемы SRAM. Они также могут быть включены в медицинское оборудование, которое может варьироваться от слуховых аппаратов до сетей, расположенных на теле, которые включают в себя несколько устройств, встроенных внутри тела. Все эти устройства требуют быстрого доступа к данным; следовательно, SRAM предпочтительнее DRAM или энергонезависимой флэш-памяти.
  
  Более того, SRAM широко используется в игровых консолях и устройствах VR/AR для быстрого рендеринга и плавной работы графики. По мере роста потребления игрового и мультимедийного контента растет и спрос на SRAM в этих приложениях. По данным Управления международной торговли Министерства торговли США, глобальная стоимость индустрии видеоигр в 2023 году составила 184 миллиарда долларов США, а количество геймеров во всем мире превысило 3,2 миллиарда.
• Технологические достижения и инновации: Разработка передовых архитектур SRAM, таких как многопортовая SRAM, обеспечивает одновременные операции чтения и записи, повышая производительность высокоскоростных приложений, таких как процессоры и сетевое оборудование. SRAM на основе FinFET обеспечивает более низкое энергопотребление и уменьшенные токи утечки, что делает его идеальным для современных вычислительных устройств и мобильных устройств. Например, 5-нм технология FinFET TSMC объединяет SRAM для создания высокопроизводительных систем на кристалле (SoC). Используемый в чипе Apple A14 Bionic для iPhone и iPad имеет высокоскоростную кэш-память SRAM. A14 — самый быстрый чип для смартфонов, он на 40 % быстрее предыдущей версии. Чип содержит 11,8 миллиардов транзисторов и был построен TSMC по 5-нм технологии. Эта производственная процедура также используется в Apple M1.
  
  Такие инновации, как масштабирование напряжения и конфигурации SRAM с низким энергопотреблением, удовлетворяют спрос на энергоэффективные устройства, особенно в сфере Интернета вещей и портативной электроники. Для оптимизации энергопотребления разрабатываются решения SRAM с адаптивным управлением питанием.
• Достижения в области сетей и телекоммуникаций. Повышающиеся требования к пропускной способности, например в сетях 5G, требуют SRAM для высокоскоростной обработки данных на базовых станциях, маршрутизаторах и коммутаторах. Быстрое время доступа SRAM делает его идеальным для обеспечения связи в реальном времени в приложениях 5G. SRAM поддерживает обработку данных в реальном времени в шлюзах Интернета вещей, обеспечивая плавную передачу данных между подключенными устройствами.
  
  SRAM используется в ускорителях искусственного интеллекта для сетевых приложений, обеспечивая быстрый анализ данных и интеллектуальную маршрутизацию. SRAM обеспечивает высокоскоростную обработку алгоритмов машинного обучения при оптимизации сети.
  
  Кроме того, SRAM широко используется в качестве кэш-памяти в центрах обработки данных для повышения производительности процессора и эффективного управления большим потоком данных. По мере того как все больше компаний внедряют облачные сервисы, растет спрос на SRAM для серверов, обрабатывающих огромные объемы одновременных данных.

Задачи

• Высокая стоимость производства. SRAM требует сложных технологий производства, особенно при интеграции в передовые полупроводниковые процессы, такие как FinFET или 3D-стекирование. Это делает SRAM более дорогим по сравнению с другими типами памяти, такими как DRAM или флэш-память. Проектирование и производство ячеек SRAM с низким энергопотреблением и высокой плотностью могут быть дорогостоящими, особенно с учетом увеличения спроса на узлы меньшего размера.
• Ограниченная плотность масштабируемости. Ячейки SRAM больше по размеру по сравнению с другими типами памяти, что ограничивает объем данных, которые можно хранить в одной и той же области чипа. По мере роста спроса на более высокую емкость памяти SRAM становится менее масштабируемой для приложений с высокой плотностью размещения. Хотя SRAM является энергоэффективным во время использования, увеличение плотности для удовлетворения потребностей в памяти может привести к увеличению энергопотребления, особенно в крупномасштабных системах.