Размер и доля рынка памяти следующего поколения по технологиям {Энергонезависимая память (MRAM, FRAM, ReRAM, 3D XPoint, NRAM), Энергозависимая память (гибридный куб памяти, память с высокой пропускной способностью)}; Тип хранилища (массовое, встроенное); Размер (200мм, 300мм, 450мм); Конечный пользователь (предприятия, бытовая электроника, автомобилестроение и транспорт) - глобальный анализ спроса и предложения, прогнозы роста, статистический отчет на 2024-2036 гг.

Драйверы роста

• Расширение использования технологий памяти нового поколения во встраиваемых системах и устройствах Интернета вещей. Память нового поколения, такая как MRAM и ReRAM, обеспечивает высокую производительность чтения и записи при низком энергопотреблении и отсутствии энергозависимости. подходит для использования во встроенных системах и устройствах Интернета вещей (IoT), все больше заменяют традиционные воспоминания. По последним доступным данным, количество подключенных устройств Интернета вещей оценивается примерно в 15,14 миллиарда. По оценкам, к 2030 году эта цифра увеличится более чем вдвое и составит 29,42 миллиарда человек. Эта память может реализовать возможности Instanton, повысить энергоэффективность и ulучшить хранение данных на интеллектуальных устройствах.
• Растущее внедрение искусственного интеллекта, больших данных, машинного обучения и облачных вычислений. Рост спроса на высокую пропускную способность, низкое энергопотребление и большую масштабируемую память обусловлен растущим внедрением передовых технологий, таких как такие как большие данные, искусственный интеллект, машинное обучение, облачные вычисления и т. д. Каждый день создается примерно 2,5 квинтиллиона бит данных. Глобальные данные представляют собой 70 % расходов конечных пользователей облачных вычислений, генерируемых пользователями, что составляет около 500 миллиардов долларов США в год.
• Повышенный спрос на устройства памяти, обеспечивающие быстрый доступ и потребляющие мало энергии. Высокая емкость и быстрая память становятся все более попulярными из-за растущего количества данных в компаниях, а также попulярности облачных технологий. решения для хранения. Передовые продукты продолжают ulучшать свои характеристики, что стимulирует большую часть полупроводниковой промышленности. Для удовлетворения потребностей устройств памяти с высокой скоростью, низким энергопотреблением и более высоким масштабом. Были созданы различные новые энергонезависимые запоминающие устройства, в том числе RRAM, MRAM, FeRAM и NRAM. Эти технологии имеют больший масштаб, плотность, скорость и выносливость, чем традиционные технологии. После запроса команды большинству новых технологий памяти требуется от 1 до 10 наносекунд, чтобы их выходные данные соответствовали указанным требованиям.

Проблемы

• Стоимость производства памяти следующих поколений продолжает расти. Себестоимость производства DRAM и SRAM высокой плотности сегодня очень высока, в то время как существуют также значительные затраты на производство высокоразрядной памяти. плотность памяти нового поколения. В технологиях памяти нового поколения обычно используются более сложные производственные процессы по сравнению с традиционными технологиями хранения воспоминаний. Для этих процессов может потребоваться использование специального оборудования, материалов и опыта, что может привести к более высоким затратам. Технологии памяти следующего поколения могут демонстрировать более низкую производительность производства из-за таких проблем, как дефекты, изменение процесса или проблемы с материалами на первом этапе разработки и производства. В резulьтате стоимость функционального чипа выше из-за низкой производительности.
• Чем выше степень, в которой устройства памяти подвергаются тепловому удару, тем больше вероятность того, что они будут повреждены и, таким образом, будут препятствовать росту рынка.
• Росту рынка может препятствовать более высокая стоимость проектирования из-за отсутствия стандартизированных производственных процессов.