Tamaño y participación del mercado de transistores de efecto de campo de túnel (TFET), por tipo (túnel lateral, túnel vertical); Aplicación (interruptores analógicos, amplificadores, oscilador de cambio de fase, limitador de corriente, circuitos digitales); Usuario final (electrónica de consumo, electrónica industrial, aeroespacial, defensa): análisis de oferta y demanda global, previsiones de crecimiento, informe estadístico 2023-2033

mercado de transistores de efecto de campo de túnel (Tfet) supere los 3394 millones de dólares a finales de 2033, con una tasa compuesta anual de alrededor del 11 % durante el período previsto, es decir, 2023-2033. En el año 2022, el tamaño de la industria del transistor de efecto de campo de túnel (TFET) fue de 970 millones de dólares. El crecimiento del mercado se puede atribuir a la creciente demanda de transistores de bajo consumo y alto rendimiento junto con el creciente número de centros de datos en todo el mundo. En el servicio de centro de datos, grandes cantidades de datos requieren un consumo de energía significativo que aumenta con el tiempo. Por ejemplo, en enero de 2022, había aproximadamente 2750 centros de datos en los Estados Unidos y alrededor de 450 centros de datos ubicados en el Reino Unido. La creciente disponibilidad de una gran cantidad de datos para ser analizados por muchos centros de datos y la necesidad de mantener estos datos seguros aumenta la necesidad de transistores. También se prevé que la creciente industria de TI y las aplicaciones de software aumenten el crecimiento del mercado en los próximos años.

También se estima que el mercado de transistores de efecto de campo de túnel (TFET) experimentará un crecimiento debido a la creciente demanda de TFET como transistor líder en el futuro para dispositivos de Internet de las cosas (IoT) de próxima generación. Según estimaciones, en 2019 había alrededor de 10 mil millones de dispositivos IoT en todo el mundo, y se prevé que aumente a 30 mil millones para fines de 2025. Además, los transistores de efecto de campo de túnel basados ​​en silicio son capaces de lograr oscilaciones bajas por debajo del umbral y al mismo tiempo proporcionar solo niveles de corriente bajos. Además, los fabricantes están reemplazando el tradicional transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET) por TFET, debido a las diversas ventajas que ofrecen los TFET, incluido el bajo consumo de energía y la baja corriente de estado impar. Por lo tanto, se prevé que estos factores impulsen el crecimiento del mercado en los próximos años.