Perspectivas del mercado del carburo de silicio:
El tamaño del mercado del carburo de silicio se valoró en 4.600 millones de dólares en 2025 y se prevé que alcance los 15.100 millones de dólares a finales de 2035, con una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 11,4% durante el período de previsión de 2026 a 2035. En 2026, se estima que el tamaño de la industria del carburo de silicio será de 5.200 millones de dólares.
Se prevé que el mercado mundial del carburo de silicio experimente una tendencia alcista durante los próximos años, impulsada principalmente por la creciente popularidad de los vehículos eléctricos, cuyo uso se ve favorecido por los estrictos incentivos gubernamentales y los controles de emisiones. La Ley Bipartidista de Infraestructura, impulsada por la Administración Biden, ha destinado 7.500 millones de dólares a la construcción de una red nacional de recarga para vehículos eléctricos, con la instalación prevista de 500.000 cargadores públicos para 2030. Esto representa un obstáculo importante para la adopción de los vehículos eléctricos, ya que su uso depende de la disponibilidad de cargadores. Esta gran inversión en infraestructura está generando una mayor demanda de electrónica de potencia de carburo de silicio (SiC), esencial para inversores eficientes y cargadores integrados en vehículos eléctricos. Además, la UE exige que todos los automóviles y furgonetas nuevos vendidos para 2035 tengan cero emisiones de CO2 para alcanzar el objetivo de neutralidad climática para 2050. Asimismo, se espera que para 2030, los automóviles y furgonetas emitan un 55 % y un 50 % menos de CO2 que en 2021, respectivamente. Esta ley fomenta la adopción de vehículos eléctricos de batería, que requieren electrónica de potencia de alta eficiencia. La posterior fabricación de vehículos eléctricos impulsa el mercado del carburo de silicio, necesario para los inversores y cargadores de a bordo de estos vehículos.
Además, el informe Perspectivas Globales de Vehículos Eléctricos 2023 de la AIE indica que China domina el mercado de vehículos eléctricos, con más del 60 % de las ventas mundiales totales, y que para 2022, más del 20 % de todas las ventas de vehículos en China correspondían a vehículos eléctricos. Este rápido auge de los vehículos eléctricos se ve impulsado en gran medida por políticas sólidas en materia de Vehículos de Nuevas Energías (VNE), que generan una enorme demanda de electrónica de potencia de alta eficiencia. El crecimiento del mercado de vehículos eléctricos en China crea una gran demanda de carburo de silicio (SiC), ya que los componentes de SiC son necesarios para mejorar la eficiencia del inversor y el cargador integrado de los vehículos eléctricos, lo que permitirá al país adoptar la movilidad eléctrica.
En cuanto a la oferta, la cadena de suministro de carburo de silicio depende principalmente de la procedencia de materias primas de alta pureza, como el silicio y el carbono, de tecnología sofisticada para el crecimiento de cristales y el procesamiento de obleas, y de una fabricación verticalmente integrada para gestionar la calidad y la producción. En 2023, Estados Unidos fabricó unas 40 000 toneladas métricas de carburo de silicio, con un valor aproximado de 28 millones de dólares, mientras que las importaciones ascendieron a 120 000 toneladas métricas, principalmente de origen chino. La capacidad de fabricación de carburo de silicio a nivel mundial ronda el millón de toneladas métricas, de las cuales China produce 450 000 y controla la cadena de suministro. Esta producción amplía el mercado del carburo de silicio, que está creciendo rápidamente debido a la creciente demanda de vehículos eléctricos y electrónica de potencia, lo que pone de manifiesto la necesidad de aumentar la producción y garantizar cadenas de suministro seguras.
Además, según la Oficina de Estadísticas Laborales de EE. UU., en agosto de 2025 el Índice de Precios al Productor de Productos Abrasivos No Metálicos (WPU113603) se situó en 292,339 (1982 = 100) y el índice IPP de la industria de Fabricación de Productos Abrasivos (PCU3279103279104) en 339,408. Estos valores evidencian una presión generalizada sobre los costos de los materiales asociados al carburo de silicio, con un aumento en los costos de los insumos necesarios para impulsar el crecimiento del mercado. El carburo de silicio (SiC) figura como material prioritario para invertir en su fabricación, procesamiento y despliegue de dispositivos en los programas federales de I+D y desarrollo de EE. UU., como la Evaluación de Materiales Críticos del Departamento de Energía (DOE). Estas tendencias indican una cadena de suministro en pleno crecimiento, con una fuerte dependencia de las importaciones, respaldada por la financiación estatal para I+D y fabricación.
Mercado del carburo de silicio: factores de crecimiento y desafíos
Factores de crecimiento
- Evaluación de riesgos regulatorios y cumplimiento de la seguridad química: La reforma integral de la evaluación de riesgos químicos contemplada en la Ley de Control de Sustancias Tóxicas (TSCA) de EE. UU. está influyendo en el mercado. En 2024, la EPA revisó los procesos de la TSCA para incluir evaluaciones de riesgo exhaustivas para cada condición de uso, vía de exposición y fase del ciclo de vida de los productos químicos existentes, lo que dificulta el cumplimiento para los fabricantes. Las tarifas que deben pagar los fabricantes de carburo de silicio para cumplir con la normativa aumentarán significativamente, mientras que las tarifas de las notificaciones previas a la fabricación (PMN) también se han incrementado a 37 000 USD, en comparación con los 19 020 USD anteriores, y las tarifas de evaluación de riesgos pueden alcanzar los 4,287 millones de USD por sustancia. Estas leyes impulsan la demanda de productos de SiC más seguros y puros, así como la modernización de los procesos, lo que fortalece el crecimiento de los mercados en la industria química.
- Integración de vehículos eléctricos (VE) y sistemas de energía renovable: La electrificación y la adopción de energías renovables impulsan significativamente la demanda de carburo de silicio (SiC). En los VE y los sistemas renovables, los dispositivos de potencia de SiC aumentan considerablemente la eficiencia de los inversores para reducir las pérdidas de energía y son necesarios para cumplir con los objetivos de ecodiseño de la UE y de eficiencia del Departamento de Energía de EE. UU. Según el Centro de Datos de Combustibles Alternativos del Departamento de Energía de EE. UU., los sistemas de carga para vehículos eléctricos (VE) están creciendo a un ritmo acelerado. Durante el segundo trimestre de 2024, el número de puntos de carga para VE aumentó un 6,3 % y el de puntos de carga rápida de CC, un 7,4 %. La región noreste registró un crecimiento significativo del 13,2 % en el número de puntos de carga públicos. Estas normas regulatorias basadas en la eficiencia conforman un eficaz canal de demanda B2B, impulsando la producción de SiC y la expansión del mercado internacional.
- Innovación en la eficiencia de producción y pureza del material: Los avances tecnológicos en la producción de SiC mejoran la eficiencia y la pureza del material. Se ha logrado un mejor aprovechamiento energético mediante la adopción de procesos de síntesis y catálisis basados en plasma más avanzados, lo que ha resultado en un 20 % menos de consumo energético por tonelada de SiC sintetizado. Además, un proceso de tratamiento térmico a 2000-2600 °C en atmósfera inerte recupera hasta un 80 % de carburo de silicio reutilizable en forma de polvo, mejorando así el suministro ante la creciente demanda. Estas innovaciones cumplen con los requisitos de sostenibilidad establecidos por agencias como la EPA y el DOE, lo que permite a los fabricantes cumplir con las normas más estrictas sobre emisiones y residuos, además de controlar los costos de producción. En consecuencia, se incrementa la eficiencia en la fabricación de SiC y, por lo tanto, el cumplimiento de la normativa ambiental, así como la expansión escalable del mercado en sectores de alta demanda como la electrónica de potencia y las energías renovables.
desafíos
- Altos costos de cumplimiento ambiental: La producción de carburo de silicio implica procesos que consumen mucha energía y generan gases de efecto invernadero y partículas contaminantes, lo que dificulta enormemente el cumplimiento de la normativa ambiental. En Estados Unidos, los fabricantes están obligados a cumplir con la Ley de Aire Limpio y la Ley de Agua Limpia, que exigen la instalación de dispositivos de control de la contaminación, el monitoreo continuo y la notificación de emisiones. Para las pequeñas y medianas empresas (pymes), el costo de cumplir con estas condiciones ambientales es prohibitivo, lo que puede limitar su capacidad de producción y su acceso al mercado. Estos costos de cumplimiento afectan los modelos de precios y retrasan la adopción de productos basados en SiC a corto plazo, especialmente en las zonas con normas más estrictas, e incentivan a las grandes empresas a invertir en tecnologías de producción más limpias y eficientes para seguir siendo competitivas.
- Barreras comerciales y aranceles: La distribución de productos de carburo de silicio en el mercado mundial se ve limitada por barreras comerciales y aranceles que elevan los precios de las materias primas e influyen en el acceso a los mercados. Por ejemplo, Estados Unidos ha impuesto derechos antidumping a las importaciones de SiC de algunos países para apoyar a los fabricantes locales. Estas políticas incrementan el precio de las materias primas y componentes de SiC importados, obligan a los proveedores a revisar sus modelos de precios y pueden restringir la flexibilidad de la cadena de suministro. Los pequeños productores difícilmente pueden asumir estos gastos, y los grandes deben lidiar con complejos requisitos de cumplimiento e informes. Estas barreras comerciales afectan la penetración en el mercado mundial, ya que el tiempo necesario para introducir el producto es prolongado y la competitividad disminuye en las principales regiones.
Tamaño y pronóstico del mercado del carburo de silicio:
| Atributo del informe | Detalles |
|---|---|
|
Año base |
2025 |
|
Año de pronóstico |
2026-2035 |
|
CAGR |
11,4% |
|
Tamaño del mercado del año base (2025) |
4.600 millones de dólares |
|
Previsión del tamaño del mercado para el año 2035 |
15.100 millones de dólares |
|
Alcance regional |
|
Segmentación del mercado del carburo de silicio:
Análisis del segmento de electrónica de potencia
Se prevé que el segmento de vehículos eléctricos experimente el mayor crecimiento, alcanzando una cuota de ingresos del 43,1 % para 2035, impulsado en gran medida por la revolución del vehículo eléctrico (VE). La electrónica de potencia de carburo de silicio y las redes de alimentación de CC logran reducir las pérdidas de potencia en casi un 50 %, mejorando la eficiencia de la carga de los VE y la vida útil de las baterías. Esto conlleva una menor necesidad de refrigeración y soluciones de carga rápida más eficientes y económicas. Según un informe del Departamento de Energía de EE. UU., se espera que las ventas de VE en ese país alcancen los 6,8 millones de unidades anuales en el escenario más optimista, elevando la demanda de energía eléctrica hasta 26 TWh. Este auge impulsa el crecimiento del sector de la electrónica de potencia de carburo de silicio, que permite el desarrollo de inversores e infraestructuras de carga eficientes para VE, capaces de soportar mayores cargas en la red y los requisitos de carga rápida.
Los inversores de tracción toman la energía de la batería de CC y la convierten en CA para alimentar de forma óptima los motores eléctricos. Los inversores basados en SiC ofrecen una mayor densidad de potencia, menores pérdidas de energía y una mejor gestión térmica, lo que se traduce en una mayor autonomía y una aceleración superior. El sistema de gestión de baterías garantiza el máximo rendimiento y la mayor vida útil de las baterías de iones de litio mediante la monitorización, el control y el equilibrado de las celdas. Los componentes de SiC mejoran la eficiencia del sistema y reducen la generación de calor, lo que justifica mayores velocidades de carga. En conjunto, estos subsegmentos son esenciales para mejorar el rendimiento de los vehículos eléctricos e impulsar el crecimiento del mercado del carburo de silicio.
Análisis del segmento de semiconductores
Se prevé que el segmento de dispositivos de potencia crezca hasta alcanzar una cuota de mercado del 28,9 % durante el periodo proyectado de 2026 a 2035, gracias a su adopción en aplicaciones industriales y de energías renovables, impulsada por los MOSFET y diodos basados en SiC. Por ejemplo, los MOSFET de trinchera de SiC y los diodos Schottky de superunión de última generación de Toshiba reducen la resistencia en estado activo hasta en un 35 % en comparación con los dispositivos convencionales, lo que mejora la eficiencia y la fiabilidad. Estos avances impulsan significativamente el crecimiento del segmento de dispositivos de potencia, especialmente para vehículos eléctricos y sistemas de energías renovables que requieren una conversión de potencia de alta eficiencia. Además, los MOSFET y diodos basados en SiC consumen mucha menos energía y son más eficientes que los de silicio, lo que permite una mayor eficiencia, menores requisitos de refrigeración y una mayor fiabilidad en la conversión de potencia.
Los MOSFET de alto voltaje, en particular los de 600-1200 V, y los de voltaje medio admiten mayores frecuencias de conmutación y densidad de potencia, y son compatibles con arquitecturas de vehículos eléctricos de 800 V y frecuencias de conmutación de hasta 20 kHz. Además, el desarrollo de estos dispositivos ha reducido las pérdidas de conmutación de los MOSFET de 1200 V hasta en un 28 %, lo que ha acelerado su adopción en inversores para vehículos eléctricos y accionamientos industriales. Por otro lado, los diodos Schottky son rectificadores/dispositivos de rueda libre de bajas pérdidas, ya que su coste por oblea es menor que el de los MOSFET, lo que reduce el coste del sistema a gran escala. Los modelos del NREL indican que el procesamiento de MOSFET genera costes de oblea más elevados, mientras que los diodos Schottky resultan económicos.
Análisis del segmento de dispositivos de radiofrecuencia
Se prevé que el segmento de infraestructura 5G crezca de forma constante hasta 2035, dado que la próxima generación de 5G (incluidas las ondas milimétricas) requiere amplificadores y transceptores de alta frecuencia capaces de operar más allá de los 100 GHz. Los dispositivos de radiofrecuencia (RF) fabricados con carburo de silicio (SiC) ofrecen una mayor densidad de potencia, conductividad térmica y respuesta en frecuencia en comparación con el silicio. Según el Departamento de Energía de EE. UU., los semiconductores de banda prohibida ancha, incluido el SiC, han sido ampliamente caracterizados como dispositivos de RF, y las futuras comunicaciones inalámbricas más allá de los 100 GHz exigirán capacidades de amplificación que no están disponibles en la tecnología de silicio convencional. Esto permite que las estaciones base y los sistemas de celdas pequeñas ofrezcan un rendimiento y una eficiencia superiores, lo que impulsará la expansión del mercado de carburo de silicio para RF debido a su gran volumen de aplicaciones en las redes 5G.
Nuestro análisis exhaustivo del mercado del carburo de silicio incluye los siguientes segmentos:
Segmento | Subsegmentos |
Electrónica de potencia |
|
Semiconductores |
|
Industrial |
|
Dispositivos de radiofrecuencia |
|
Vishnu Nair
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Mercado del carburo de silicio: análisis regional
Perspectivas del mercado norteamericano
Se prevé que el mercado norteamericano experimente el mayor crecimiento, con una cuota de ingresos del 35,5 % durante el período de pronóstico de 2026 a 2035, gracias a las iniciativas gubernamentales en materia de materiales de alta tecnología, seguridad energética y sostenibilidad de los productos químicos. Los semiconductores de banda prohibida ancha, como el SiC, están reconocidos formalmente como tecnologías estratégicas por el Departamento de Energía de EE. UU. (DOE), que destaca la capacidad de estos materiales para aumentar la densidad de potencia, reducir los tiempos de conmutación y mejorar la eficiencia de las redes eléctricas y los sistemas de transporte. Además, uno de los principales impulsores es la financiación federal. En agosto de 2022, el DOE anunció que financiaría actividades universitarias y de laboratorios nacionales en tecnologías de energía limpia y fabricación con bajas emisiones de carbono con un total de 540 millones de dólares, siendo la investigación sobre el SiC una de las áreas prioritarias en la innovación de semiconductores. Asimismo, las regulaciones ambientales impulsan el mercado regional del SiC al promover procesos químicos sostenibles. El programa Desafío de Química Verde de la EPA ha documentado diversas tecnologías innovadoras adoptadas en 2021, que han dado como resultado reducciones cuantificables de residuos peligrosos y están en línea con las prácticas de fabricación de productos químicos más seguras en apoyo de los requisitos de procesamiento de obleas de SiC.
Además, el informe del NIST indica que los sistemas de metrología avanzados desarrollados para dispositivos de potencia de SiC de alta tensión y alta velocidad, como los MOSFET de 10 kV con una corriente continua de 2 A (50 A/cm²) y los diodos PiN de 10 kV que operan a 40 A (80 A/cm²), se seleccionan para proporcionar resultados de pruebas de rendimiento y fiabilidad precisos. Estos criterios minimizan el riesgo de comercialización y contribuyen a impulsar el uso creciente del SiC en la transición energética de Norteamérica, los vehículos eléctricos y los mercados industriales, al facilitar la creación de electrónica de potencia potente y eficiente. En conjunto, estos factores, que incluyen un aumento del gasto público en I+D, los requisitos de sostenibilidad y la adopción del SiC en nuevos procesos de fabricación y desarrollo químico, están convirtiendo a Norteamérica en un importante centro de crecimiento en el mercado mundial del SiC.
Se prevé que el mercado estadounidense lidere la región de Norteamérica con la mayor cuota de mercado para 2035, impulsado principalmente por las leyes federales y las normas técnicas que fomentan el desarrollo de la electrónica de potencia avanzada. La Ley de Ciencia e Innovación de 2022 autorizó la asignación de 52.700 millones de dólares para ampliar la capacidad nacional de semiconductores, incluyendo materiales semiconductores de banda prohibida ancha como el carburo de silicio (SiC) entre las prioridades de investigación y fabricación. Además, en respuesta directa a la reducción del riesgo de comercialización mediante la eliminación de una barrera para los fabricantes, el Instituto Nacional de Estándares y Tecnología (NIST) está avanzando en programas de metrología para mejorar la fiabilidad y los estándares de medición de los dispositivos de SiC. Asimismo, la Administración de Seguridad y Salud Ocupacional (OSHA) ha impuesto límites de exposición a sustancias químicas a la sílice cristalina, un componente fundamental en el procesamiento de semiconductores, para promover prácticas de fabricación más seguras. Por ejemplo, la OSHA ha impuesto límites de exposición permisibles (PEL) a la sílice cristalina respirable, que estipulan un límite de 50 microgramos por metro cúbico (µg/m³) de concentración de sílice en el aire durante una jornada laboral de 8 horas para que el proceso de fabricación en la industria de semiconductores y otros sectores sea más seguro. Todo esto, junto con una sólida financiación federal, una infraestructura técnica robusta y normativas de seguridad laboral, posiciona a Estados Unidos como líder mundial en la adopción de SiC en la industria, la automoción y la generación de energía eléctrica.
Se prevé que el mercado canadiense se expanda de manera constante hasta 2035, gracias a la sólida innovación en tecnologías limpias y la investigación avanzada de materiales impulsada por el gobierno federal. En el período 2022-2023, Recursos Naturales de Canadá otorgó más de 350 proyectos de innovación energética, algunos de los cuales son proyectos avanzados de semiconductores y procesos químicos, que apoyan indirectamente la adopción del carburo de silicio (SiC) con un presupuesto de 115 millones de dólares canadienses. La manufactura sostenible también se está convirtiendo en una prioridad en Canadá, ya que el Plan de Reducción de Emisiones 2030, desarrollado por el gobierno, tiene como objetivo una reducción del 40 % de los gases de efecto invernadero para 2030, lo que requerirá el uso de electrónica de potencia basada en SiC en energías renovables y transporte electrificado. Además, la participación de canadienses en alianzas internacionales de semiconductores garantizará el acceso a materiales y tecnologías importantes, facilitando así su adopción a nivel nacional. Con un mayor enfoque en las ambiciones de energía limpia, junto con la inversión estratégica en investigación y desarrollo, Canadá está estableciendo una base sólida en la integración del SiC en las industrias química y energética.
Perspectivas del mercado de Asia Pacífico
Se prevé que el mercado de Asia Pacífico crezca rápidamente, alcanzando una cuota de ingresos del 29,8 % durante el período proyectado de 2026 a 2035, impulsado por la alta demanda de vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable y electrónica de potencia industrial. Los semiconductores de banda prohibida ancha, como el SiC, están cobrando protagonismo en las estrategias regionales de energía y manufactura para mejorar la eficiencia energética y reducir las emisiones de gases de efecto invernadero. Por ejemplo, según un informe del Servicio de Investigación del Congreso, Asia Pacífico lidera la fabricación mundial de semiconductores gracias a las importantes inversiones gubernamentales en materiales de ingeniería como el carburo de silicio (SiC) para optimizar la electrónica de potencia y promover la eficiencia energética y la electrificación. La región concentra más del 70 % de la capacidad mundial de fabricación de obleas de semiconductores, proceso que impulsa la adopción del SiC en vehículos eléctricos y la industria de las energías renovables. Su liderazgo en la producción y el apoyo político a largo plazo convierten a Asia Pacífico en un actor clave para el desarrollo del mercado global del SiC.
De igual manera, se ha observado un importante crecimiento en la inversión en la producción de materiales avanzados y procesos químicos sostenibles. A nivel regional, existen programas de inversión en la adopción de energías limpias, prácticas en industrias bajas en carbono y electrónica de potencia de alta eficiencia. Por ejemplo, el Banco Asiático de Desarrollo (BAD) financió proyectos de energía limpia en Asia con un préstamo de 65 millones de dólares a Nepal para apoyar el proyecto de mejora del acceso y la eficiencia energética, que instaló 1000 farolas solares y distribuyó un millón de lámparas fluorescentes compactas. Se espera que estas medidas reduzcan las emisiones de dióxido de carbono entre 15 000 y 20 000 toneladas anuales, lo que refleja las inversiones regionales en tecnologías energéticamente eficientes y prácticas sostenibles, que facilitan indirectamente la adopción del carburo de silicio en la electrónica de potencia. Mientras tanto, se están desarrollando estándares de metrología y fiabilidad de dispositivos en instituciones de investigación y organismos de normalización de la región, y se está acelerando la comercialización de módulos de SiC de alto rendimiento.
Para 2035, se prevé que el mercado chino domine la región de Asia Pacífico con una importante cuota de mercado, gracias a la significativa inversión en tecnologías de carburo de silicio (SiC) para impulsar sus sectores de semiconductores y productos químicos. En 2023, China logró avances significativos en 50 tecnologías, denominadas "50 pilares", bajo el liderazgo de la Oficina de Información del Consejo de Estado, como la producción de SiC. Además, en el XIII Plan Quinquenal Nacional del Consejo de Estado de China, se priorizan industrias estratégicas emergentes, como los nuevos materiales, entre ellos el carburo de silicio (SiC), y se estima que su tamaño representará más del 15 % del PIB para el año 2020. Esta estrategia busca fortalecer la capacidad de innovación y crear clústeres industriales a escala global para acelerar el desarrollo del SiC como material clave en las industrias chinas de semiconductores y energías limpias. Asimismo, el Ministerio de Ecología y Medio Ambiente promueve el uso de la química verde para reducir la cantidad de residuos nocivos en la producción de productos químicos. Esto ha estado respaldado por una fuerte inversión en investigación y desarrollo, lo que convierte a China en un actor importante en lo que respecta al uso de SiC en procesos químicos.
Se prevé que el mercado indio experimente el mayor crecimiento anual compuesto (CAGR) entre 2026 y 2035, debido a la creciente introducción de la tecnología de carburo de silicio (SiC) en la industria química, impulsada por las políticas gubernamentales. La Misión de Semiconductores de la India (ISM) ofrece subsidios fiscales para financiar la instalación de infraestructuras relacionadas con el SiC, como plantas de fabricación de semiconductores compuestos y unidades de empaquetado. Por ejemplo, el gobierno, a través de la ISM, ha aprobado 10 proyectos de semiconductores en seis estados, con un coste total aproximado de 1,6 billones de rupias. Estos proyectos abarcan diversos procesos de fabricación de semiconductores, como la fabricación, el empaquetado y las pruebas. Cabe destacar que la ISM ha contribuido al desarrollo de la primera planta de semiconductores a escala comercial del país, ubicada en Odisha y especializada en tecnologías de carburo de silicio (SiC). Además, en 2025, el gobierno invirtió 2340 millones de rupias en proyectos de diseño de chips que impulsaron la innovación en aplicaciones de SiC. Además, la producción de productos químicos especializados ha crecido de manera constante en el Departamento de Productos Químicos y Petroquímicos, y se ha producido una expansión drástica de las exportaciones entre los años fiscales 2018-19 y 2022-23. Estos esfuerzos indican que la India está cada vez más interesada en la aplicación de tecnologías de SiC para lograr que su sector químico sea eficiente y sostenible.
Perspectivas del mercado europeo
Se prevé que el mercado europeo crezca con una importante cuota de ingresos del 22,7 % durante el período de previsión, debido a la demanda de vehículos eléctricos, sistemas de energías renovables y el auge de la electrónica de potencia. La investigación e innovación dedicadas al cambio climático y el desarrollo sostenible, así como a las tecnologías químicas sostenibles, se financian a través de Horizonte Europa, con un presupuesto indicativo de 93 500 millones de euros para el período 2021-2027. Esta significativa inversión apoya el desarrollo de las tecnologías de carburo de silicio (SiC) en las industrias europeas de electrónica de potencia y energías limpias, lo que también refuerza el liderazgo del continente en materiales semiconductores avanzados. Además, la Agencia Europea de Sustancias Químicas (ECHA) y el Consejo Europeo de la Industria Química (CEFIC) han desempeñado un papel fundamental en el establecimiento de marcos regulatorios que promueven el uso del SiC en otras aplicaciones industriales. Además, la Estrategia Nacional de Semiconductores del gobierno británico promete una inversión de hasta 200 000 millones de libras esterlinas para el periodo 2023-2025 y de 1000 millones para 2030, una década después, con el fin de expandir la fabricación nacional de semiconductores, incluyendo semiconductores compuestos como el carburo de silicio (SiC). Esta inversión potencia las ventajas del Reino Unido en I+D, diseño y fabricación, y acelera el desarrollo del SiC en los campos de la electrónica de potencia y la tecnología avanzada.
Además, las industrias químicas alemanas están decididas a alcanzar un escenario climáticamente neutro para 2050 mediante una mayor inversión en tecnologías químicas sostenibles y ecológicas. El país se centra en la creciente demanda del mercado de soluciones químicas respetuosas con el medio ambiente, impulsadas por la innovación y las medidas regulatorias para mitigar las emisiones de carbono y promover la economía circular. Estas innovaciones ecológicas constituyen la base de una tecnología sofisticada para el desarrollo de materiales como el carburo de silicio (SiC), lo que convierte a Alemania en pionera en tecnologías limpias y dispositivos de ahorro energético con semiconductores.
Principales actores del mercado del carburo de silicio:
- Wolfspeed, Inc.
- Descripción general de la empresa
- Estrategia empresarial
- Ofertas de productos clave
- Desempeño financiero
- Indicadores clave de rendimiento
- Análisis de riesgos
- Desarrollo reciente
- Presencia regional
- Análisis FODA
- Coherent Corp. (anteriormente II-VI)
- STMicroelectronics NV
- Infineon Technologies AG
- Semiconductores ROHM
- Semiconductores ON
- SK Siltron Co., Ltd.
- Toshiba Materials Co., Ltd.
- Cree, Inc. (parte de Wolfspeed)
- SICC Materials Co., Ltd.
- ESD-SIC bv
- Tecnologías AGS
- Norstel AB (adquirida por STMicro)
- Everspin Technologies Inc.
- Materiales Avanzados de Malasia (MAM)
Las empresas estadounidenses Wolfspeed, Coherent y ON Semi lideran el mercado mundial de productos químicos de SiC, aprovechando la Ley CHIPS y los contratos del Departamento de Energía para aumentar su producción. Si bien Japón (ROHM, Toshiba) es líder en obleas de SiC de alta pureza, las empresas europeas (STMicro, Infineon) se concentran en soluciones de SiC para la industria automotriz e industrial. La china SICC Materials y la surcoreana SK Siltron se están expandiendo gracias a las regulaciones gubernamentales sobre semiconductores. Con sus proyectos de química verde, la malaya MAM y la india AGS Tech están ganando protagonismo. Entre las estrategias clave se incluyen las alianzas (Infineon-Resonac), la integración vertical (la expansión de la planta de fabricación de Wolfspeed por valor de 5500 millones de dólares) y la investigación y el desarrollo en el reciclaje de SiC (la iniciativa de STMicro en la UE por valor de 101 millones de dólares).
Aquí tienes una lista de los principales actores que operan en el mercado global:
Desarrollos Recientes
- En septiembre de 2025 , Wolfspeed anunció la disponibilidad comercial de su cartera de materiales de carburo de silicio (SiC) de 200 mm. Este evento representó un hito importante en la trayectoria de Wolfspeed para acelerar la transición de la industria hacia el silicio con SiC. Se espera que este lanzamiento satisfaga la creciente demanda de dispositivos de potencia de alto rendimiento en diversas industrias, como la automotriz y la de energías renovables. Estas obleas de SiC de 200 mm aumentarán la eficiencia y la escalabilidad de la electrónica de potencia, y formarán parte de los vehículos eléctricos y las soluciones de energía verde.
- En mayo de 2025, Himadri Speciality Chemicals firmó un acuerdo de licencia de tecnología con la empresa australiana de materiales para baterías Sicona para construir la primera fábrica de silicio-carbono en India. Esta alianza otorga a Himadri el derecho a acceder, adaptar y comercializar la innovadora tecnología de ánodo de silicio-carbono SiCx desarrollada por Sicona, considerada uno de los avances tecnológicos más significativos en el campo de las baterías de iones de litio. Himadri ya ha invertido 139 crores en Sicona, adquiriendo una participación del 12,5% con una inversión inicial de 58 crores en Elixir Carbo Private Limited y una inversión posterior de 81 crores en bonos convertibles.
- En febrero de 2024, el Departamento de Energía de EE. UU. otorgó a SK Siltron CSS un préstamo de hasta 544 millones de dólares. Este préstamo contribuyó a impulsar la producción estadounidense de obleas de carburo de silicio (SiC) de alta calidad, componentes esenciales de la electrónica de potencia para vehículos eléctricos (VE). Se prevé que este crecimiento genere hasta 200 empleos en la construcción y otros 200 en la manufactura especializada. La tecnología desarrollada en la planta de SK Siltron en Auburn, Michigan, se implementará en la planta de Bay City para paliar la actual escasez de estas obleas.
- Report ID: 5213
- Published Date: Oct 24, 2025
- Report Format: PDF, PPT
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Greece (+30)
Greenland (+299)
Grenada (+1473)
Guadeloupe (+590)
Guam (+1671)
Guatemala (+502)
Guinea (+224)
Guinea-Bissau (+245)
Guyana (+592)
Haiti (+509)
Honduras (+504)
Hong Kong (+852)
Hungary (+36)
Iceland (+354)
India (+91)
Indonesia (+62)
Iran (+98)
Iraq (+964)
Ireland (+353)
Isle of Man (+44)
Israel (+972)
Italy (+39)
Jamaica (+1876)
Japan (+81)
Jersey (+44)
Jordan (+962)
Kazakhstan (+7)
Kenya (+254)
Kiribati (+686)
Kuwait (+965)
Kyrgyzstan (+996)
Laos (+856)
Latvia (+371)
Lebanon (+961)
Lesotho (+266)
Liberia (+231)
Libya (+218)
Liechtenstein (+423)
Lithuania (+370)
Luxembourg (+352)
Macao (+853)
Madagascar (+261)
Malawi (+265)
Malaysia (+60)
Maldives (+960)
Mali (+223)
Malta (+356)
Marshall Islands (+692)
Mauritania (+222)
Mauritius (+230)
Mayotte (+262)
Mexico (+52)
Micronesia (+691)
Moldova (+373)
Monaco (+377)
Mongolia (+976)
Montenegro (+382)
Montserrat (+1664)
Morocco (+212)
Mozambique (+258)
Myanmar (+95)
Namibia (+264)
Nauru (+674)
Nepal (+977)
Netherlands (+31)
New Caledonia (+687)
New Zealand (+64)
Nicaragua (+505)
Niger (+227)
Nigeria (+234)
Niue (+683)
Norfolk Island (+672)
North Korea (+850)
Northern Mariana Islands (+1670)
Norway (+47)
Oman (+968)
Pakistan (+92)
Palau (+680)
Palestine (+970)
Panama (+507)
Papua New Guinea (+675)
Paraguay (+595)
Peru (+51)
Philippines (+63)
Poland (+48)
Portugal (+351)
Puerto Rico (+1787)
Qatar (+974)
Romania (+40)
Russia (+7)
Rwanda (+250)
Saint Barthélemy (+590)
Saint Helena, Ascension and Tristan da Cunha (+290)
Saint Kitts and Nevis (+1869)
Saint Lucia (+1758)
Saint Martin (French part) (+590)
Saint Pierre and Miquelon (+508)
Saint Vincent and the Grenadines (+1784)
Samoa (+685)
San Marino (+378)
Sao Tome and Principe (+239)
Saudi Arabia (+966)
Senegal (+221)
Serbia (+381)
Seychelles (+248)
Sierra Leone (+232)
Singapore (+65)
Sint Maarten (Dutch part) (+1721)
Slovakia (+421)
Slovenia (+386)
Solomon Islands (+677)
Somalia (+252)
South Africa (+27)
South Georgia and the South Sandwich Islands (+0)
South Korea (+82)
South Sudan (+211)
Spain (+34)
Sri Lanka (+94)
Sudan (+249)
Suriname (+597)
Svalbard and Jan Mayen (+47)
Eswatini (+268)
Sweden (+46)
Switzerland (+41)
Syria (+963)
Taiwan (+886)
Tajikistan (+992)
Tanzania (+255)
Thailand (+66)
Togo (+228)
Tokelau (+690)
Tonga (+676)
Trinidad and Tobago (+1868)
Tunisia (+216)
Turkey (+90)
Turkmenistan (+993)
Turks and Caicos Islands (+1649)
Tuvalu (+688)
Uganda (+256)
Ukraine (+380)
United Arab Emirates (+971)
United Kingdom (+44)
Uruguay (+598)
Uzbekistan (+998)
Vanuatu (+678)
Vatican City (+39)
Venezuela (Bolivarian Republic of) (+58)
Vietnam (+84)
Wallis and Futuna (+681)
Western Sahara (+212)
Yemen (+967)
Zambia (+260)
Zimbabwe (+263)
