Marktgröße und Marktanteil für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFET) nach Typ (Lateraler Tunnelbau, Vertikaler Tunnelbau); Anwendung (Analogschalter, Verstärker, Phasenverschiebungsoszillator, Strombegrenzer, digitale Schaltkreise); Endverbraucher (Unterhaltungselektronik, Industrieelektronik, Luft- und Raumfahrt, Verteidigung) – Globale Angebots- und Nachfrageanalyse, Wachstumsprognosen, Statistikbericht 2024–2036

Globale Marktdefinition für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFET)

Der Tunnel-Feldeffekttransistor (

TFET) ist eine Art Beispieltransistor der vom traditionellen Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) verbessert und weiterentwickelt wurde. Der Transistor im Allgemeinen ist ein Gerät dessen elektrischer Widerstand durch eine externe Spannung verändert werden kann. Ein Transistor kann einen Aus-und-Ein-Zustand haben während Null ein Aus-Zustand und Ein-Zustand ist der einem Schalter ähnelt. Der Tunnelfeldeffekttransistor nutzt einen Quanteneffekt bei dem eine Wellenfunktion eine Potentialbarriere durchdringen kann. Zu den Eigenschaften dieses Transistors gehören ein Swing unterhalb des Schwellenwerts eine extrem niedrige Leistung eine extrem niedrige Spannung ein reduzierter Leckstrom eine hohe Geschwindigkeit und die Fähigkeit mit Superschwellenwerten und Unterschwellenwerten zu arbeiten. Der Tunnel-Feldeffekttransistor ähnelt dem Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor mit Ausnahme des Schaltmechanismus. Die Hauptvorteile von Tunnel-Feldeffekttransistoren sind das Vorhandensein von weniger SS<60 mV/Dekade und der geringere Stromverbrauch. Transistoren spielen eine wichtige Rolle wenn es darum geht elektronische Geräte wie Laptops oder Smartphones zu verkleinern.

Der Tunnel-Feldeffekttransistor besteht aus einem Gerät mit drei oder vier Anschlüssen das in Silizium eingebaut ist. Es besteht auch aus einem PIN-Übergang der p-Typ- intrinsische und n-Typ-Verbindungen umfasst. Der Aufbau eines Tunnelfeldeffekttransistors ähnelt dem eines MOSFETs wobei die Source- und Drain-Anschlüsse in umgekehrter Richtung fixiert sind. Die Gate-Klemme regelt das elektrostatische Potential des intrinsischen Bereichs im Tunnel-Feldeffekttransistor. Das Funktionsprinzip des Tunnel-Feldeffekttransistors basiert auf Band-zu-Band-Tunneling (BTBT).

Globaler Markt für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFET): Wichtige Erkenntnisse

Globale Marktgröße, Prognose und Trendhighlights für 2024-2036

Es wird geschätzt dass

Die Marktgröße für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFET) betrug im Jahr 2023 über 1,07 Milliarden US-Dollar und dürfte bis Ende 2036 4,07 Milliarden US-Dollar erreichen, was einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von etwa 10,8 % im Prognosezeitraum, d. h. zwischen 2024 und 2036, entspricht. Im Jahr 2024 wird die Branchengröße von Tunnel-Feldeffekttransistoren auf 1,19 Milliarden US-Dollar geschätzt. Das Wachstum des Marktes ist auf die steigende Nachfrage nach Transistoren mit geringem Stromverbrauch und hoher Leistung sowie auf die steigende Anzahl von Rechenzentren weltweit zurückzuführen. Im Rechenzentrumsservice erfordern große Datenmengen einen erheblichen Energieverbrauch der im Laufe der Zeit zunimmt. Im Januar 2022 gab es beispielsweise etwa 2.750 Rechenzentren in den Vereinigten Staaten und rund 450 Rechenzentren im Vereinigten Königreich. Die zunehmende Verfügbarkeit riesiger Datenmengen die von vielen Rechenzentren analysiert werden können und die Notwendigkeit diese Daten sicher aufzubewahren erhöht den Bedarf an Transistoren. Es wird erwartet dass auch die wachsende IT-Industrie und Softwareanwendungen das Marktwachstum in den kommenden Jahren ankurbeln werden.

src="https://www.researchnester.com/admin/report_image/Tunnel-Field-effect-Transistor-(TFET)-Market-regional.jpg " />Der globale Markt für Tunnelfeldeffekttransistoren (TFET) wird aufgrund der steigenden Nachfrage nach TFET als führender zukünftiger Transistor für IoT-Geräte (Internet of Things) der nächsten Generation voraussichtlich ebenfalls wachsen. Schätzungen zufolge gab es im Jahr 2019 weltweit rund 10 Milliarden IoT-Geräte die bis Ende 2025 auf 30 Milliarden ansteigen sollen. Darüber hinaus sind Silizium-basierte Tunnelfeldeffekttransistoren in der Lage niedrige unterschwellige Schwingungen zu erreichen während sie nur niedrige Strompegel liefern. Darüber hinaus ersetzen die Hersteller den herkömmlichen Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) durch TFET da TFETs verschiedene Vorteile bieten darunter ein geringer Stromverbrauch und ein niedriger Ungeradestrom. Daher wird erwartet dass solche Faktoren das Wachstum des Marktes in den kommenden Jahren ankurbeln werden.

Globaler Markt für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFET): Wachstumstreiber und Herausforderungen

Wachstumstreiber

• Wachstum der Halbleiterindustrie mit steigendem Verbrauch von Unterhaltungselektronik – Es wird geschätzt dass die zunehmende Nutzung elektronischer Geräte und Fortschritte in der künstlichen Intelligenz sowie die Internetdurchdringung das Marktwachstum vorantreiben werden. Es wird geschätzt dass die Einführung von Speicherchips mit hoher Kapazität in Mobiltelefonen und anderen Geräten sowie die Zunahme von Chipsätzen für die drahtlose Kommunikation das Marktwachstum vorantreiben werden. Das Wachstum des Halbleiters wird auf die steigende Nachfrage nach Smartphones integrierten Schaltkreisen und Speichergeräten auf der ganzen Welt zurückgeführt. Schätzungen zufolge lag der Gesamtumsatz der globalen Halbleiterindustrie im Jahr 2021 bei rund 580 Milliarden US-Dollar und übertraf damit den Gesamtumsatz von rund 460 Milliarden US-Dollar im Jahr 2020.

• Zunehmende staatliche Unterstützung durch politische Maßnahmen auf der ganzen Welt – Den Daten zufolge hat die indische Regierung im Jahr 2019 die National Policy on Electronics (NPE 2019) ins Leben gerufen um die Fertigungsindustrie zu stärken mit dem Ziel bis Ende 2025 rund ~ 390 Milliarden US-Dollar in der inländischen Fertigung zu erreichen.

• Erhöhte Forschungs- und Entwicklungsausgaben

  zur Verbesserung des Fortschritts in der Elektronik – Nach Angaben der Weltbank lagen die weltweiten Forschungs- und Entwicklungsausgaben im Verhältnis zum Bruttoinlandsprodukt (BIP) im Jahr 2021 bei rund 263 % gegenüber 22 % im Jahr 2018.

• Steigende Smartphone-Verkäufe mit zunehmender Digitalisierung und rasanter Urbanisierung – Schätzungen zufolge wurden im Jahr 2021 weltweit rund 14 Milliarden Smartphones verkauft verglichen mit 2020 das waren rund 13 Milliarden Einheiten.

• Wachsende Akzeptanz von Laptops mit steigendem verfügbarem Einkommen der Menschen – Schätzungen zufolge werden die weltweiten Lieferungen von Laptops bis Ende 2025 voraussichtlich 265 Millionen Einheiten überschreiten.

herausforderungen

• Weniger Bewusstsein für die Vorteile von TFET auf dem Markt - Nicht jeder ist sich der Vorteile der TFET-Modelle bewusst da es andere Transistoren gibt. Es wird auch geschätzt dass der Bedarf an qualifizierten Fachleuten für den Betrieb und die Entwicklung dieser Tunnelfeldtransistoren das Marktwachstum behindern wird.
• Source/Drain-Asymmetrie die Zuverlässigkeitsprobleme aufwirft
• Erhöhte Swings unterhalb des Schwellenwerts bei einer höheren Tunneling-Rate

Globale Marktsegmentierung für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFET)

Der globale Markt für Tunnelfeldeffekttransistoren (TFET) wird segmentiert und nach Anwendung in analogen Schaltern Verstärkern Phasenverschiebungsoszillatoren Strombegrenzern digitalen Schaltungen und anderen auf Nachfrage und Angebot analysiert. Es wird geschätzt dass das Segment der digitalen Schaltkreise im Prognosezeitraum den größten Marktanteil erzielen wird unterstützt durch die zunehmende Einführung digitaler Schaltkreise bei der Herstellung von Unterhaltungselektronik. Es wird erwartet dass die steigende Nachfrage nach Smartphones und die Einführung von Laptops und anderen elektronischen Geräten das Wachstum des Marktsegments vorantreiben werden. Schätzungen zufolge wurde die Haushaltsgeräte- und Unterhaltungselektronikindustrie in Indien im Jahr 2021 auf rund 9 Milliarden US-Dollar geschätzt und wird voraussichtlich bis Ende 2025 eine Bewertung von über 19 Milliarden US-Dollar überschreiten. Es wird erwartet dass ein solcher Faktor das Wachstum des Segments im Prognosezeitraum ankurbeln wird. Es wird erwartet dass das steigende verfügbare Einkommen auch die Zahl der Menschen erhöhen wird die das Internet auf der ganzen Welt nutzen.

Der globale Markt für Tunnelfeldeffekttransistoren (TFET) wird ebenfalls segmentiert und auf Nachfrage und Angebot von Endverbrauchern in den Bereichen Unterhaltungselektronik Industrie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung sowie anderen analysiert. Unter diesen Segmenten wird erwartet dass das Segment der Unterhaltungselektronik einen signifikanten Anteil gewinnen wird. Das Wachstum des Marktsegments wird auf die zunehmende Nutzung von Unterhaltungselektronik wie Fernsehern Tablets Handys Computern Laptops und Klimaanlagen zurückgeführt. Der steigende Lebensstandard der Menschen erhöht die Bevölkerung der Internetnutzer aufgrund der zunehmenden Durchdringung des Internets und des verfügbaren Einkommens der Menschen. Den Beobachtungen zufolge nutzten im Jahr 2021 weltweit über 5 Milliarden Menschen das Fernsehen. Schätzungen zufolge werden im Jahr 2023 weltweit etwa 5 Milliarden Internetnutzer gemeldet. Darüber hinaus wird geschätzt dass die wachsende Digitalisierungstechnologie und die schnelle Urbanisierung das Marktwachstum ankurbeln werden.

Unsere eingehende Analyse des globalen Marktes für Tunnelfeldeffekttransistoren (TFET) umfasst die folgenden Segmente:

Globaler Markt für Tunnel-Feldeffekttransistoren (TFET) Regionale Zusammenfassung

Der nordamerikanische Markt für Tunnelfeldeffekttransistoren (TFET) wird neben dem Markt in allen anderen Regionen bis Ende 2036 voraussichtlich den größten Marktanteil halten. Das Wachstum des Marktes ist vor allem auf die wachsende Nachfrage und Durchdringung von Smartphones der nächsten Generation in der Region zurückzuführen.  Schätzungen zufolge besitzen in den Vereinigten Staaten mehr als 75 % der Bevölkerung ein Smartphone - etwa 265 Millionen. Darüber hinaus tragen zunehmende technologische Fortschritte wie die Integration von TFETs mit komplementärer Metalloxid-Halbleitertechnologie (CMOS) dazu bei integrierte Schaltkreise mit geringem Stromverbrauch zu verbessern. Daher wird erwartet dass solche Faktoren das Marktwachstum in der Region im Prognosezeitraum vorantreiben werden.

Darüber hinaus wird geschätzt dass der Markt in der Region Europa im Prognosezeitraum aufgrund der steigenden Nachfrage nach drahtlosen Konnektivitätssystemen der nächsten Generation ein erhebliches Wachstum verzeichnen wird. In den letzten Jahren hat der technologische Fortschritt Europa zu einer starken Region in der Welt der Implementierung der 5G-Technologie gemacht und so die nächste Generation der drahtlosen Konnektivität ermöglicht. Darüber hinaus wird erwartet dass Schlüsselfaktoren wie die zunehmende Digitalisierung und die zunehmenden Investitionen in die Implementierung fortschrittlicher Technologien sowie eine digitale Transformation in mobilen Geräten das Wachstum des Marktes für Tunnelfeldeffekttransistoren (TFET) in den kommenden Jahren vorantreiben werden.

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Die wichtigsten Unternehmen die den globalen Markt für Tunnelfeldeffekttransistoren (TFET) dominieren

• STMicroelectronics International N.V.
  • Unternehmen Übersicht
  • Geschäftsstrategie
  • Wichtige Produktangebote
  • Finanzielle Leistung
  • Wichtige Leistungsindikatoren
  • Risikoanalyse
  • Jüngste Entwicklung
  • Regionale Präsenz
  • SWOT-Analyse
• Infineon Technologies AG
• Texas Instruments Incorporated
• Advanced Linear Devices Inc.
• Fairchild Semiconductor International Inc. (Semiconductor Components Industries L.L.C.)
• Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (Taiwan Halbleiterhersteller)
• Avago Technologies Limited (Broadcom Inc.)
• Qorvo Inc.
• Toshiba-Gesellschaft
• Alsephina Innovations Inc. (Wi-LAN Inc.)