Globale Marktgröße, Prognose und Trendhighlights für 2025–2037
Die Größe des Siliziumkarbid-Marktes wurde im Jahr 2024 auf 1,32 Milliarden US-Dollar geschätzt und dürfte bis Ende 2037 8,23 Milliarden US-Dollar überschreiten und im Prognosezeitraum, d. h. zwischen 2025 und 2037, um über 14,9 % CAGR wachsen. Im Jahr 2025 wird die Branchengröße von Siliziumkarbid auf 1,48 Milliarden US-Dollar geschätzt.
Die in den USA ansässige Silicon Power Group wird 121,73 Millionen US-Dollar in den Start einer Produktionsanlage in Odisha, Indien, investieren, um 150 Millimeter Siliziumkarbid herzustellen.
Darüber hinaus wird davon ausgegangen, dass die steigende Nachfrage nach Schaltanlagen das Marktwachstum von Siliziumkarbid vorantreibt. Siliziumkarbid hat eine höhere Durchbruchspannung und kann daher im Vergleich zu Silizium viel besser mit hohen Spannungen umgehen. Dadurch eignet sich Siliziumkarbid für Anwendungen in Hochspannungsschaltanlagen.
Siliziumkarbidsektor: Wachstumstreiber und Herausforderungen
Wachstumsbeschleuniger
- Steigende Bevorzugung von Siliziumkarbid gegenüber Silizium – Die Wärmeleitfähigkeit von Siliziumkarbid ist dreimal höher als die von Silizium, außerdem ist die dielektrische Durchschlagfestigkeit von SiC etwa zehnmal besser als die von Silizium. Dies bedeutet, dass eine kleinere SiC-Größe eine bessere Nennspannung aufweist als eine größere Siliziumgröße.
- Wachsende Entwicklung siliziumbasierter Technologien – Die Notwendigkeit, eine hohe Leistung von Siliziumgeräten zu erreichen, wird deren Produktion um das Sechsfache steigern. Dies wird auch den technologischen Fortschritt von Siliziumkarbid vorantreiben und auch dessen Nachfrage steigern.
- Höhere Verbreitung von Elektrofahrzeugen – Weltweit ist die Verbreitung von Elektrofahrzeugen um etwa 13 % gestiegen. Darüber hinaus wird erwartet, dass bis 2030 über 250 Millionen Elektrofahrzeuge im Einsatz sein werden. SiC-basierte Leistungsmodule haben eine verbesserte Effizienz und Leistung, was sie für Autos der nächsten Generation unverzichtbar macht. Darüber hinaus unterstützen SiC-Leiter auch schnellere Ladezeiten für Elektrofahrzeuge .
Herausforderungen
- Hohe Produktionskosten – Hochwertige Siliziumkarbidmaterialien werden mit komplexen Techniken hergestellt, die im Vergleich zu Standardmaterialien auf Siliziumbasis zu etwas höheren Produktionskosten führen können. Es ist immer noch schwierig, die Produktionskosten bei gleichbleibender Qualität zu senken.
- Begrenzte Verfügbarkeit von hochreinem Silizium und Kohlenstoff
- Komplexität bei der Verpackung der SiC-Geräte
Siliziumkarbid-Markt: Wichtige Erkenntnisse
Siliziumkarbid-Segmentierung
Produkt (Schwarzes SiC, Grünes SiC)
Es wird geschätzt, dass das schwarze SiC-Segment im Siliziumkarbid-Markt im Jahr 2037 den größten Umsatzanteil von etwa 54 % erreichen wird. Das Wachstum des Segments ist auf die zunehmende Herstellung von Eisen und Stahl mithilfe von Elektrolichtbogenöfen zurückzuführen. Andererseits dürfte auch der zunehmende Einsatz von schwarzem Siliziumkarbid in breiten Anwendungen wie Schleifen und Metallbearbeitung das Wachstum des Segments vorantreiben. Schwarzes SiC sorgt für höhere Haltbarkeit, Vielseitigkeit und Qualität bei der SiC-Anwendung.
Anwendung (Energie und Energie, Transport, Stahl und Metallurgie, Elektronik und Optoelektronik, Weltraumforschung, Automobil, Telekommunikation, Industrie)
Es wird erwartet, dass der Siliziumkarbid-Markt aus dem Segment Elektronik und Optoelektronik im Jahr 2035 einen erheblichen Anteil von rund 30 % erreichen wird. Die steigende Nachfrage nach elektronischen Chips, gefolgt von höheren Ausgaben dafür, dürfte das Wachstum des Segments verstärken. Im Jahr 2022 stiegen die Gesamtausgaben für Chipausrüstung weltweit um 10 % auf rund 98 Milliarden US-Dollar. Darüber hinaus wird erwartet, dass auch die wachsende Infrastruktur von Halbleiterherstellern das Wachstum des Segments vorantreiben wird.
Unsere eingehende Analyse des globalen Marktes umfasst die folgenden Segmente:
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Diesen Bericht anpassenSiliziumkarbidindustrie – regionale Zusammenfassung
APAC-Marktprognose
Der Marktanteil von Siliziumkarbid im asiatisch-pazifischen Raum wird voraussichtlich im Vergleich zum Markt in allen anderen Regionen mit einem Anteil von etwa 38 % bis Ende 2037 der größte sein. Das Wachstum des Marktes ist hauptsächlich auf den Anstieg zurückzuführen Stahlproduktion in der Region. Der asiatisch-pazifische Raum verfügt über große Stützpunkte für die Stahlproduktion. Darüber hinaus haben viele internationale Unternehmen ihre Geschäfte in der Region angesiedelt. Im Jahr 2022 produzierte China mehr als 1 Milliarde Tonnen Rohstahl, was 52,9 % der weltweiten Produktion ausmacht und einen Anstieg gegenüber 123 Millionen Tonnen im Jahr 2012 darstellt.
Nordamerikanische Marktstatistik
Schätzungen zufolge ist der nordamerikanische Siliziumkarbidmarkt der zweitgrößte und wird bis Ende 2035 einen Anteil von etwa 25 % verzeichnen Die Qualität der Halbleiterfertigungsanlagen in der Region verbessert sich und nimmt im asiatisch-pazifischen Raum Fahrt auf. Indiens neuer Gesetzesplan zur Förderung der Halbleiterindustrie sieht eine Investition von 52 Milliarden US-Dollar zur Steigerung der Produktion vor. Davon sind 13,2 Milliarden US-Dollar für Forschung und Entwicklung sowie die Ausbildung der Arbeitskräfte vorgesehen, und 500 Millionen US-Dollar werden für die Stärkung der Kommunikation für ausländische Halbleiterlieferketten verwendet.
Unternehmen, die die Siliziumkarbid-Landschaft dominieren
- AGSCO Corporation
- Firmenüberblick
- Geschäftsstrategie
- Wichtige Produktangebote
- Finanzleistung
- Wichtige Leistungsindikatoren
- Risikoanalyse
- Die neueste Entwicklung
- Regionale Präsenz
- SWOT-Analyse
- SK Siltron CSS
- ESD-SIC bv
- Carborundum Universal Limited
- Microchip Technology Inc.
- Coorstek, Inc.
- Entegris, Inc.
- Snam Abrasives Pvt. GmbH.
- Von Gaddis entwickelte Materialien
- Sana Optoelektronik
In the News
- SK Siltron CSS gab die Vereinbarung mit Qorvo über eine langfristige Liefervereinbarung für Siliziumkarbid-Epitaxie- und Nacktwafer bekannt.
- Microchip Technology, Inc. kündigte die neuen Leistungsbauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) mit 3,3 kV an, wie z. B. Schottky-Barrieredioden und SiC-MOSFETs, die in Energie-, Industrie- und Transportsystemen eingesetzt werden sollen.
Autorenangaben: Rajrani Baghel
- Report ID: 5213
- Published Date: Oct 14, 2024
- Report Format: PDF, PPT
