Größe und Marktanteil von Speicher der nächsten Generation, nach Technologie {Nichtflüchtiger Speicher (MRAM, FRAM, ReRAM, 3D XPoint, NRAM), flüchtiger Speicher (Hybrid-Speicherwürfel, Speicher mit hoher Bandbreite)}; Speichertyp (Masse, eingebettet); Größe (200 mm, 300 mm, 450 mm); Endverbraucher (Unternehmen, Unterhaltungselektronik, Automobil und Transport) – Globale Angebots- und Nachfrageanalyse, Wachstumsprognosen, Statistikbericht 2024–2036

  • Berichts-ID: 3724
  • Veröffentlichungsdatum: Feb 15, 2023
  • Berichtsformat: PDF, PPT

Global Next-Generation Memory Market TOC

  1. Market Definition and Research Methodology
    1. Market Definition and Segmentation
    2. Assumptions and Acronyms
    3. Research Objective and Methodology
  2. Executive Summary
  3. Industry Value Chain Analysis
  4. Market Dynamics
    1. Drivers
    2. Challenges
    3. Trends
    4. Opportunities
  5. Regulatory & Standards Landscape
  6. Industry Risk Analysis
  7. Technology Analysis
  8. COVID-19 Impact on the Global Next-Generation Memory Market
  9. Average Pricing Analysis
  10. Cross Segmentation of Technology with Respect to End-Use Industry
  11. Cross Segmentation of Storage Type with Respect to End-Use Industry
  12. Cross Segmentation of Size with Respect to End-Use Industry
  13. Feature Analysis
  14. Competitive Positioning
  15. Competitive Landscape
    1. Samsung Electronics Co., Ltd.
    2. Micron Technology, Inc.
    3. Cypress Semiconductor Corporation
    4. Everspin Technologies Inc.
    5. NXP Semiconductors
    6. KIOXIA Corporation
    7. Intel Corporation
    8. Avalanche Technology
    9. IBM Corporation
    10. Fujitsu Limited
    11. Western Digital Corporation
    12. CrossBar, Inc.
    13. SK HYNIX INC.
  16. Global Next-Generation Memory Market
    1. By Value (USD Million)
    2. Global Next-Generation Memory Market Segmentation Analysis 2020-2030
      1. By Technology
        1. Non-Volatile Memory
          1. Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM)
          2. Ferroelectric RAM (FRAM)
          3. Resistive Random-Access Memory (RERAM)
          4. 3D XPoint (Quantx & Optane)
          5. Nano RAM (NRAM)
          6. Others
        2. Volatile Memory
          1. Hybrid Memory Cube (HMC)
          2. High-Bandwidth Memory (HBM)
      2. By Storage Type
        1. Mass Storage
        2. Embedded storage
        3. Others
      3. By Size
        1. 200 mm
        2. 300 mm
        3. 450 mm
      4. By End-User
        1. Enterprises
        2. Consumer Electronics
        3. Automotive and Transportation
        4. Telecommunications
        5. Military and Aerospace
        6. Energy and Power
        7. Banking and Financial Services
        8. Healthcare
        9. Others
      5. By Region
        1. North America
        2. Latin America
        3. Europe
        4. Asia-Pacific
        5. Middle East & Africa
  17. North America Next-Generation Memory Market
    1. Market by Value (USD Million)
    2. Market Segmentation:
      1. By Technology
        1. Non-Volatile Memory
          1. Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM)
          2. Ferroelectric RAM (FRAM)
          3. Resistive Random-Access Memory (RERAM)
          4. 3D XPoint (Quantx & Optane)
          5. Nano RAM (NRAM)
          6. Others
        2. Volatile Memory
          1. Hybrid Memory Cube (HMC)
          2. High-Bandwidth Memory (HBM)
      2. By Storage Type
        1. Mass Storage
        2. Embedded storage
        3. Others
      3. By Size
        1. 200 mm
        2. 300 mm
        3. 450 mm
      4. By End-User
        1. Enterprises
        2. Consumer Electronics
        3. Automotive and Transportation
        4. Telecommunications
        5. Military and Aerospace
        6. Energy and Power
        7. Banking and Financial Services
        8. Healthcare
        9. Others
      5. By Country
        1. United States
        2. Canada
  18. Latin America Next-Generation Memory Market
    1. Market by Value (USD Million)
    2. Market Segmentation:
      1. By Technology
      2. By Storage Type
      3. By Size
      4. By End-User
      5. By Country
        1. Brazil
        2. Mexico
        3. Argentina
        4. Rest of Latin America
  19. Europe Next-Generation Memory Market
    1. Market by Value (USD Million)
    2. Market Segmentation:
      1. By Technology
      2. By Storage Type
      3. By Size
      4. By End-User
      5. By Country
        1. United Kingdom
        2. Italy
        3. France
        4. Germany
        5. Spain
        6. Russia
        7. Netherlands
        8. Rest of Europe
  20. Asia Pacific Next-Generation Memory Market
    1. Market by Value (USD Million)
    2. Market Segmentation:
      1. By Technology
      2. By Storage Type
      3. By Size
      4. By End-User
      5. By Country
        1. China
        2. India
        3. Australia
        4. Japan
        5. South Korea
        6. Rest of Asia Pacific
  21. Middle East & Africa Next-Generation Memory Market
    1. Market by Value (USD Million)
    2. Market Segmentation:
      1. By Technology
      2. By Storage Type
      3. By Size
      4. By End-User
      5. By Country
        1. GCC
        2. South Africa
        3. Israel
        4. Rest of Middle East & Africa

Globale Marktgröße, Prognose und Trendhighlights für 2024–2036

Es wird erwartet, dass die Größe des Marktes für Speicher der nächsten Generation bis Ende 2036 132 Milliarden US-Dollar überschreiten wird und im Prognosezeitraum, d. h. 2024–2036, mit einer jährlichen Wachstumsrate von 28 % wächst. Im Jahr 2023 betrug die Branchengröße von Speicher der nächsten Generation etwa 3 Milliarden US-Dollar. Die steigende Nachfrage nach universellen Speichergeräten, die durch zahlreiche Vorteile dieses Speichertyps unterstützt wird, ist auf das Wachstum des Marktes zurückzuführen. Im Zeitraum von 2023 bis 2028 wird das weltweite Volumen an Speichereinheiten für Unterhaltungselektronik voraussichtlich um insgesamt 6,9 Millionen Stück wachsen. Im Jahr 2028 soll das Volumen 2,6 Milliarden Stück betragen.

Darüber hinaus ist die steigende Nachfrage nach High-Tech-Geräten der Hauptfaktor für das Wachstum des Speichermarkts der nächsten Generation in dieser Region. In einer Reihe von Ländern der Region wurde ein Anstieg der Internetnutzung beobachtet. Folglich steigt die Nachfrage von Internetnutzern nach fortschrittlichen Computerprodukten, was wiederum zur Produktion von Speichergeräten der nächsten Generation führen wird. Laut Statistiken der International Telecommunications Union (ITU) ist die Zahl der Menschen, die das Internet in Asien und im Pazifik nutzen, zwischen 2005 und 2019 von 355 Millionen auf 1901 Millionen gestiegen.


Diagramm zum Speichermarkt der nächsten Generation
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Speichersektor der nächsten Generation: Wachstumstreiber und Herausforderungen

Wachstumsbeschleuniger

  • Zunehmender Einsatz von Speichertechnologien der nächsten Generation in eingebetteten Systemen und IOT-Geräten – Speicher der nächsten Generation wie MRAM und ReRAM, die eine hohe Lese- und Schreibgeschwindigkeit bei geringem Energieverbrauch und ohne Flüchtigkeit bieten, eignen sich für den Einsatz in eingebetteten Systemen und im Internet der Dinge (IoT) -Geräte, die herkömmliche Speicher zunehmend ersetzen. Die Zahl der vernetzten Internet-of-Things-Geräte wird nach den neuesten verfügbaren Daten auf etwa 15,14 Milliarden geschätzt. Schätzungen zufolge wird sich diese Zahl bis 2030 auf 29,42 Milliarden mehr als verdoppeln. Dieser Speicher kann Instanton-Funktionen ermöglichen, die Energieeffizienz verbessern und die Datenspeicherung in intelligenten Geräten verbessern.
  • Zunehmende Akzeptanz von künstlicher Intelligenz, Big Data, maschinellem Lernen und Cloud Computing – Die steigende Nachfrage nach hoher Bandbreite, geringem Stromverbrauch und großem skalierbarem Speicher ist auf die zunehmende Einführung fortschrittlicher Technologien wie Big Data, künstliche Intelligenz, maschinelles Lernen zurückzuführen. Cloud Computing usw. Täglich werden etwa 2,5 Trillionen Datenbits erstellt. Bei den globalen Daten handelt es sich um 70 % nutzergenerierte Cloud-Computing-Endnutzerausgaben, die sich auf rund 500 Milliarden US-Dollar pro Jahr belaufen.
  • Erhöhte Nachfrage nach Speichergeräten, die einen schnellen Zugriff ermöglichen und wenig Strom verbrauchen – Speicher mit hoher Kapazität und schnellem Speicher werden aufgrund der wachsenden Datenmenge in Unternehmen sowie der Beliebtheit von Cloud-Speicherlösungen immer beliebter. Fortschrittliche Produkte verbessern weiterhin ihre Leistung, was einen großen Teil der Halbleiterindustrie antreibt. Um den Anforderungen von Speichergeräten mit hoher Geschwindigkeit, geringerem Stromverbrauch und größerer Skalierbarkeit gerecht zu werden. Es wurden verschiedene neue nichtflüchtige Speicher erstellt, darunter RRAM, MRAM, FeRAM und NRAM. Diese Technologien sind skalierbarer, dichter, schneller und langlebiger als herkömmliche Technologien. Nach einer Befehlsanforderung benötigen die meisten neuen Speichertechnologien zwischen 1 und 10 Nanosekunden, bis die Ausgabe die angegebenen Anforderungen erfüllt.

Herausforderungen

  • Die Kosten für die Herstellung der Speicher der nächsten Generation steigen weiter – Die Produktionskosten für DRAM und SRAM mit hoher Bitdichte sind heute sehr hoch, während auch die Herstellung von Speicher der nächsten Generation mit hoher Bitdichte erhebliche Kosten verursacht. Bei einer neuen Generation von Speichertechnologien sind im Vergleich zur herkömmlichen Technologie zur Speicherung von Erinnerungen häufig kompliziertere Produktionsprozesse erforderlich. Für diese Prozesse kann der Einsatz spezieller Ausrüstung, Materialien und Fachwissen erforderlich sein, was zu höheren Kosten führen kann. Speichertechnologien der nächsten Generation können aufgrund von Problemen wie Defekten, Prozessschwankungen oder Materialproblemen in der ersten Entwicklungs- und Herstellungsphase zu geringeren Produktionsausbeuten führen. Dadurch sind die Kosten pro funktionsfähigem Chip aufgrund geringer Ausbeuten höher.
  • Je stärker Speichergeräte einem Temperaturschock ausgesetzt sind, desto wahrscheinlicher ist es, dass sie beschädigt werden und somit das Marktwachstum behindern.
  • Das Wachstum des Marktes kann durch höhere Designkosten aufgrund fehlender standardisierter Produktionsprozesse behindert werden.

Markt für Speicher der nächsten Generation: Wichtige Erkenntnisse

Basisjahr

2023

Prognosejahr

2024-2036

CAGR

~ 28 %

Marktgröße im Basisjahr (2023)

~ 3 Milliarden US-Dollar

Prognosejahr der Marktgröße (2036)

~ 132 Milliarden US-Dollar

Regionaler Geltungsbereich

  • Nordamerika (USA und Kanada)
  • Lateinamerika (Mexiko, Argentinien, übriges Lateinamerika)
  • Asien-Pazifik (Japan, China, Indien, Indonesien, Malaysia, Australien, Rest Asien-Pazifik)
  • Europa (Großbritannien, Deutschland, Frankreich, Italien, Spanien, Russland, NORDIC, übriges Europa)
  • Naher Osten und Afrika (Israel, GCC-Nordafrika, Südafrika, übriger Naher Osten und Afrika)
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Speichersegmentierung der nächsten Generation

Technologie {Nichtflüchtiger Speicher (MRAM, FRAM, ReRAM, 3D XPoint, NRAM), Flüchtiger Speicher (Hybrid Memory Cube, High-Bandwidth Memory)}

Es wird erwartet, dass das Segment der nichtflüchtigen Speicher im Prognosezeitraum einen Anteil von 68 % am weltweiten Speichermarkt der nächsten Generation halten wird. Die gestiegene Nachfrage nach besseren, effektiveren und kostengünstigeren Speicherlösungen ist auf das Wachstum des Marktsegments zurückzuführen. Auch die Einschränkungen herkömmlicher nichtflüchtiger Speichergeräte in Bezug auf Skalierbarkeit, Stabilität und andere Parameter wurden durch das Aufkommen moderner Speichertechnologien beseitigt. Durch die weltweite Anhäufung von Daten entsteht ein Bedarf an effizienteren Speicherlösungen mit hoher Kapazität, was auf die große Menge an erzeugten Daten zurückzuführen ist. Täglich werden rund 328,77 Terabyte an Daten generiert. In diesem Jahr werden etwa 120 Zettabytes an Daten produziert. Geschwindigkeit und Leistung von nichtflüchtigem Speicher sind vergleichbar mit Flash-Speichertechnologien wie DRAM oder SRAM, mit höheren Speicherdichten, z. B. im Fall von ReRAM und STT RAM PCM.

Speichertyp (Masse, eingebettet)

Es wird erwartet, dass der Speichermarkt der nächsten Generation aus dem Massensegment im Prognosezeitraum den größten Anteil von etwa 52 % halten wird. Dies liegt daran, dass Massenspeicher häufig in Rechenzentren, Unternehmensspeichersystemen, Unterhaltungselektronik und anderen Anwendungen verwendet werden, die eine hohe Kapazität mit schnellen Zugriffsgeschwindigkeiten und zuverlässiger Datenspeicherung erfordern. Weltweit gibt es etwa 8.000 Rechenzentrumsstandorte. Künstliche Intelligenz wird für etwa 20 % der globalen Rechenzentrumskapazität eingesetzt.

Unsere eingehende Analyse des globalen Marktes umfasst die folgenden Segmente:

Technologie

  • Nichtflüchtiger Speicher
  • MRAM
  • RAHMEN
  • ReRAM
  • 3D-XPoint
  • NRAM
  • Flüchtiger Speicher
  • Hybrider Speicherwürfel
  • Speicher mit hoher Bandbreite

Speichertyp

  • Masse
  • Eingebettet

Größe

  • 200 mm
  • 300 mm
  • 450 mm

Endbenutzer

  • Unternehmen
  • Unterhaltungselektronik
  • Automobil & Transport

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Speicherindustrie der nächsten Generation – Regionale Zusammenfassung

Nordamerikanische Marktprognose

Es wird erwartet, dass der nordamerikanische Speichermarkt der nächsten Generation im Prognosezeitraum 35 % des Umsatzanteils ausmachen wird. Die frühe Einführung von Technologien und Infrastruktur der nächsten Generation wurde von der Region Nordamerika vorangetrieben. In den Vereinigten Staaten ist die IT ein wichtiger Motor des Wirtschaftswachstums. Es müssen effektivere Verarbeitungssysteme entwickelt werden, um mit der schnellen Entwicklung der Technologien und einem wachsenden Datenvolumen in allen Sektoren in der Region Nordamerika zurechtzukommen. Der US-amerikanische Technologiemarkt macht 35 % der gesamten Weltwirtschaft aus. Im Jahr 2023 wird der Technologiesektor der USA voraussichtlich um 5,4 % wachsen. In den USA gibt es mehr als 585.000 Technologieunternehmen.

APAC-Marktstatistik

Es wird erwartet, dass die Region Asien-Pazifik im Prognosezeitraum einen Anteil von etwa 28 % am weltweiten Speichermarkt der nächsten Generation halten wird. Es wird erwartet, dass die Region aufgrund der großen Verbreitung von Unterhaltungselektronik in diesem Bereich, insbesondere Smartphones, Tablets und Laptops, stark wachsen wird. Einem Bericht zufolge wird die Mobiltelefonnutzung im Asien-Pazifik-Raum bis 2021 bei 74 % liegen und im nächsten Jahrzehnt voraussichtlich auf 84 % ansteigen. Darüber hinaus wird erwartet, dass im selben Jahr 62 % der Mobilfunkteilnehmer anwesend sein werden.

Research Nester
Personen, die das Internet-Graph nutzen
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Unternehmen, die die Speicherlandschaft der nächsten Generation dominieren

    • Intel Corporation
      • Firmenüberblick
      • Geschäftsstrategie
      • Wichtige Produktangebote
      • Finanzleistung
      • Wichtige Leistungsindikatoren
      • Risikoanalyse
      • Die neueste Entwicklung
      • Regionale Präsenz
      • SWOT-Analyse
    • Honeywell International Inc.
    • Micron Technology, Inc.
    • Samsung Electronics Co., Ltd
    • SK Hynix, Inc.
    • Everspin Technologies, Inc.
    • Nanya Technology Corporation
    • Kingston Technology Corporation
    • Infineon Technologies AG
    • Crossbar Inc.

In den Nachrichten

  • SK Hynix Inc. war der erste Hersteller der Branche, der ein 12-schichtiges HBM31-Produkt mit einer Speicherkapazität von 24 Gigabyte 2 entwickelte, dem derzeit größten der Branche. Nach der Massenproduktion des weltweit ersten HBM3 im Juni 2022 gelang es dem Unternehmen, das 24-GB-Paketprodukt zu entwickeln, das die Speicherkapazität gegenüber dem Vorgängerprodukt um 50 % erhöhte.
  • Samsung gab den Beginn der Massenproduktion seiner vertikalen NAND-Chips (V-NAND) der 8. Generation bekannt, um erweiterten Speicherplatz in Serversystemen der nächsten Generation zu ermöglichen. Diese Chips verfügen über die branchenweit höchste Bitdichte und Speicherkapazität. Sie sollen es Unternehmen ermöglichen, die Speicherkapazität von Unternehmensservern der nächsten Generation zu erweitern und gleichzeitig deren Einsatz auf den Automobilmarkt auszuweiten.

Autorennachweise:  Abhishek Verma


  • Berichts-ID: 3724
  • Veröffentlichungsdatum: Feb 15, 2023
  • Berichtsformat: PDF, PPT

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Die steigende Nachfrage nach universellen Speichergeräten sowie die zunehmende Akzeptanz von KI, IoT, BIG DATA und anderen sind die Hauptfaktoren für das Wachstum des Speichermarkts der nächsten Generation.

Es wird erwartet, dass die Marktgröße von Speicher der nächsten Generation im Prognosezeitraum, d. h. 2024–2036, eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate von 28 % erreichen wird.

Die Hauptakteure auf dem Markt sind Honeywell International Inc., Micron Technology, Inc., Samsung Electronics Co., Ltd, SK Hynix, Inc., Everspin Technologies, Inc., Nanya Technology Corporation, Kingston Technology Corporation und andere.

Es wird erwartet, dass das nichtflüchtige Segment bis Ende 2036 die größte Marktgröße erreichen und erhebliche Wachstumschancen bieten wird.

Der Markt in der Region Nordamerika wird voraussichtlich bis Ende 2036 den größten Marktanteil halten und in Zukunft weitere Geschäftsmöglichkeiten bieten.

Der Markt ist nach Technologie Speichertyp Größe Endverbrauchsbranche und Region segmentiert.

Es wird erwartet dass das Massenspeichersegment bis Ende 2030 den größten Umsatz von 183274 Millionen US-Dollar erzielen und erhebliche Wachstumschancen aufweisen wird.
Speicher der nächsten Generation Umfang des Marktberichts
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