Der Markt für magnetoresistives RAM (MRAM) hatte im Jahr 2023 einen Umfang von über 1,32 Milliarden USD und wird voraussichtlich bis 2036 die Marke von 682,03 Milliarden USD überschreiten, was einem Wachstum von über 61,7 % pro Jahr im Prognosezeitraum, also zwischen 2024 und 2036, entspricht. Im Jahr 2024 wird der Branchenumfang für magnetoresistives RAM auf 1,97 Milliarden USD geschätzt.
Die zunehmende Verbreitung der Digitalisierung und technologischer Fortschritte wie dem Internet der Dinge (IoT) und Cloud Computing sowie die steigende Nachfrage nach elektronischen Produkten sind einige der wesentlichen Faktoren, die das Marktwachstum ankurbeln.
Wachstumstreiber
Potenzial, alternative Speicherprodukte zu ersetzen, um das Marktwachstum anzukurbeln
Die zunehmenden Forschungsaktivitäten zur Entwicklung innovativer Speicherprodukte mit Lesezugriff wie eingebettete und diskrete MRAMs treiben das Marktwachstum voran. Darüber hinaus bietet der magnetoresistive RAM (MRAM) das Potenzial, Flash-Speicher und andere elektrisch löschbare, programmierbare Nur-Lese-Speicher (EEPROM) zu ersetzen. Dies dürfte den Markt für magnetoresistive RAM (MRAM) deutlich erweitern.
Wachsende Nachfrage in der Elektronikgeräte- und Luft- und Raumfahrtindustrie treibt das Marktwachstum an
Aufgrund ihrer günstigen physikalischen Eigenschaften wie Beständigkeit gegen hohe Strahlung, Betrieb bei extremen Temperaturen, Manipulationssicherheit und schnellerer Rechenleistung besteht eine erhöhte Nachfrage nach kostengünstigen, kleinen und energieeffizienten MRAMs in elektronischen, Luft- und Raumfahrt-, Verteidigungs- und Militärsystemen. Darüber hinaus reduziert ihre Anwendung in Speicherlösungen für Unternehmen die Gesamtausfallzeit des Systems, was das Marktwachstum weiter ankurbelt. Vor diesem Hintergrund wird für den globalen Markt für magnetoresistives RAM (MRAM) im Prognosezeitraum ein Wachstum prognostiziert.
Herausforderungen
Trotz des technologischen Fortschritts sind die Kosten für Design und Herstellung hoch, was sich negativ auf das Marktwachstum auswirkt. Darüber hinaus wird davon ausgegangen, dass die mit dem Speicher verbundenen Schnittstellenprobleme das Marktwachstum in Zukunft behindern werden.
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Basisjahr |
2023 |
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Prognosejahr |
2024–2036 |
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CAGR |
61,7 % |
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Marktgröße im Basisjahr (2023) |
1,32 Milliarden US-Dollar |
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Prognostizierte Marktgröße für das Jahr (2036) |
682,03 Milliarden USD |
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Regionaler Geltungsbereich |
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Der Markt ist nach Anwendung segmentiert in Unterhaltungselektronik, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Robotik, Unternehmensspeicher, Automobil und andere. Unter diesen Segmenten wird erwartet, dass das Segment Unterhaltungselektronik im Markt für magnetoresistiven RAM (MRAM) am stärksten wächst, da Smartphones, Laptops, elektronische Wearables und Digitalkameras zunehmend eingesetzt werden, die fortschrittliche Speichergeräte verwenden, um einen geringen Energieverbrauch zu gewährleisten und die Startzeit zu verkürzen.
Unsere eingehende Analyse des globalen Marktes umfasst die folgenden Segmente:
Nach Technologie |
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Nach Produkt |
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Nach Anwendung |
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Auf der Grundlage regionaler Analysen wird der Markt für magnetoresistives RAM (MRAM) in fünf Hauptregionen unterteilt, darunter Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik, Lateinamerika sowie die Region Naher Osten und Afrika.
Der Markt für magnetoresistiven RAM (MRAM) in der nordamerikanischen Industrie wird voraussichtlich bis 2036 den größten Umsatzanteil haben, da Unternehmen zunehmend auf Rechenzentren umsteigen, um die Kosten der Technologieinfrastruktur zu senken und schnellere Berechnungen, weniger Stromverbrauch und bessere Skalierbarkeit zu erreichen, was die Produktnachfrage weiter erhöht. Der Markt im asiatisch-pazifischen Raum wird im Prognosezeitraum voraussichtlich aufgrund von Fortschritten in der Infrastruktur von Rechenzentren und Informationstechnologiezentren am stärksten wachsen. Darüber hinaus erhöhen die zunehmende Nutzung des Internets und die Verbreitung von Cloud-Computing sowie die große Anzahl von Speicherherstellern in Ländern wie China und Indien aufgrund der reichlichen Verfügbarkeit von Rohstoffen und billigen Arbeitskräften die Nachfrage nach magnetoresistivem RAM (MRAM) weiter.
· September 2016: Spin Memory Inc. (STT) gab bekannt dass es senkrechte magnetische MRAM-Tunnelübergänge ([MTJs] ist die Hauptkomponente einer MRAM-Speicherzelle und Kerntechnologie eines MRAM-Geräts) mit einer Größe von nur 20 nm hergestellt hat was zu den kleinsten MTJs gehört die bisher gemeldet wurden.
Autorennachweise: Abhishek Verma
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