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全球下一代内存市场目录
- 市场定义和研究方法
- 市场定义和细分
- 假设和缩略语
- 研究目标和方法
- 执行摘要
- 行业价值链分析
- 市场动态
- 司机
- 挑战
- 趋势
- 机会
- 监管和标准格局
- 行业风险分析
- 技术分析
- COVID-19 对全球下一代内存市场的影响
- 平均定价分析
- 技术与最终用途行业的交叉细分
- 存储类型与最终用途行业的交叉细分
- 与最终用途行业相关的规模交叉细分
- 特征分析
- 竞争定位
- 竞争格局
- 三星电子有限公司
- 美光科技公司
- 赛普拉斯半导体公司
- Everspin 技术公司
- 恩智浦半导体
- 铠侠株式会社
- 英特尔公司
- 雪崩科技
- IBM公司
- 富士通有限公司
- 西部数据公司
- 十字栏公司
- SK海力士公司
- 全球下一代存储器市场
- 按价值(百万美元)
- 2020-2030年全球下一代内存市场细分分析
- 按技术
- 非易失性存储器
- 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
- 铁电 RAM (FRAM)
- 电阻式随机存取存储器 (RERAM)
- 3D XPoint(Quantx 和 Optane)
- 纳米内存 (NRAM)
- 其他的
- 易失性内存
- 混合存储立方体 (HMC)
- 高带宽内存 (HBM)
- 非易失性存储器
- 按存储类型
- 大容量储存
- 嵌入式存储
- 其他的
- 按尺寸
- 200毫米
- 300毫米
- 450毫米
- 按最终用户
- 企业
- 消费类电子产品
- 汽车和交通
- 电信
- 军事和航空航天
- 能源与电力
- 银行和金融服务
- 卫生保健
- 其他的
- 按地区
- 北美
- 拉美
- 欧洲
- 亚太
- 中东和非洲
- 按技术
- 北美下一代内存市场
- 市场价值(百万美元)
- 市场细分:
- 按技术
- 非易失性存储器
- 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
- 铁电 RAM (FRAM)
- 电阻式随机存取存储器 (RERAM)
- 3D XPoint(Quantx 和 Optane)
- 纳米内存 (NRAM)
- 其他的
- 易失性内存
- 混合存储立方体 (HMC)
- 高带宽内存 (HBM)
- 非易失性存储器
- 按存储类型
- 大容量储存
- 嵌入式存储
- 其他的
- 按尺寸
- 200毫米
- 300毫米
- 450毫米
- 按最终用户
- 企业
- 消费类电子产品
- 汽车和交通
- 电信
- 军事和航空航天
- 能源与电力
- 银行和金融服务
- 卫生保健
- 其他的
- 按国家/地区
- 美国
- 加拿大
- 按技术
- 拉丁美洲下一代内存市场
- 市场价值(百万美元)
- 市场细分:
- 按技术
- 按存储类型
- 按尺寸
- 按最终用户
- 按国家/地区
- 巴西
- 墨西哥
- 阿根廷
- 拉丁美洲其他地区
- 欧洲下一代内存市场
- 市场价值(百万美元)
- 市场细分:
- 按技术
- 按存储类型
- 按尺寸
- 按最终用户
- 按国家/地区
- 英国
- 意大利
- 法国
- 德国
- 西班牙
- 俄罗斯
- 荷兰
- 欧洲其他地区
- 亚太下一代内存市场
- 市场价值(百万美元)
- 市场细分:
- 按技术
- 按存储类型
- 按尺寸
- 按最终用户
- 按国家/地区
- 中国
- 印度
- 澳大利亚
- 日本
- 韩国
- 亚太地区其他地区
- 中东和非洲下一代内存市场
- 市场价值(百万美元)
- 市场细分:
- 按技术
- 按存储类型
- 按尺寸
- 按最终用户
- 按国家/地区
- 海湾合作委员会
- 南非
- 以色列
- 中东和非洲其他地区
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2025-2037 年全球市场规模、预测和趋势亮点
2024 年规模将超过 85.3 亿美元,预计到 2037 年底将超过 649.4 亿美元,在预测期内(即 2025-2037 年)复合年增长率超过 16.9%。到2025年,下一代存储器的产业规模预计将达到96.8亿美元。
对通用存储设备的需求不断增长,这得益于与此类存储器相关的众多优势,这可以归因于市场的增长。 2023年至2028年期间,全球消费电子存储单元总量预计将增长690万个。预计2028年产量将达到26亿枚。
此外,对高科技设备的需求增加是推动该地区下一代内存市场增长的主要因素。该地区许多国家的互联网使用量有所增加。因此,互联网用户对先进计算产品的需求不断增加,这反过来又将导致下一代存储设备的生产。根据国际电信联盟(ITU)提供的统计数据,2005年至2019年间,亚太地区使用互联网的人数从3.55亿增加到19.01亿。
下一代内存行业:增长动力和挑战
增长动力
- 越来越多地在嵌入式系统和物联网设备中使用下一代存储器技术 - MRAM和ReRAM等下一代存储器具有高性能读写速度、低能耗和无波动性,使其适合在嵌入式系统和物联网中使用(物联网)设备越来越多地取代传统存储器。根据最新的可用数据,连接的物联网设备数量估计约为 151.4 亿。到2030年,预计这一数字将增加一倍以上,达到294.2亿。该存储器可以实现即时功能、提高能源效率并增强智能设备中的数据存储。
- 人工智能、大数据、机器学习和云计算的日益采用——由于大数据、人工智能、机器学习、云计算等。每天大约创建 2.5 万亿比特的数据。全球数据显示,70% 的云计算最终用户支出是由用户产生的,每年总计约 5000 亿美元。
- 对快速访问、低功耗存储设备的需求增加——由于公司数据量的不断增长以及云存储解决方案的普及,高容量和快速存储的存储器变得越来越受欢迎。先进产品不断提高其性能,这推动了半导体行业的很大一部分。满足存储设备高速、低功耗、大规模的需求。人们已经创建了不同的新型非易失性存储器,包括 RRAM、MRAM、FeRAM 和 NRAM。这些技术比传统技术具有更大的规模、密度、速度和耐久性。在发出命令请求后,大多数新兴内存技术需要 1 到 10 纳秒的时间才能输出满足指定要求。
挑战
- 下一代存储器的制造成本持续上升 -如今高密度 DRAM 和 SRAM 的生产成本非常高,而高位密度下一代存储器的制造成本也很高。与传统的存储器存储技术相比,新一代存储器技术通常涉及更复杂的生产工艺。这些过程可能需要使用专业设备、材料和专业知识,这可能会导致更高的成本。由于开发和制造第一阶段的缺陷、工艺变化或材料挑战等问题,下一代存储技术有可能显示出较低的产量。结果,由于产量低,每个功能芯片的成本较高。
- 存储器件遭受热冲击的程度越高,损坏的可能性就越大,从而阻碍市场增长。
- 由于缺乏标准化生产流程,设计成本上升可能会阻碍市场的增长。
下一代内存市场:主要见解
基准年 |
2024年 |
预测年份 |
2025-2037 |
复合年增长率 |
16.9% |
基准年市场规模(2024 年) |
85.3亿美元 |
预测年度市场规模(2037 年) |
649.4亿美元 |
区域范围 |
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下一代内存分段
技术{非易失性存储器(MRAM、FRAM、ReRAM、3D XPoint、NRAM)、易失性存储器(混合存储立方体、高带宽存储器)}
预计在预测期内,非易失性存储器领域将占据全球下一代存储器市场 68% 的份额。对更好、更有效和更便宜的内存解决方案的需求增加可归因于该市场细分市场的增长。现代存储技术的出现也消除了传统非易失性存储器件在可扩展性、稳定性和其他参数方面的限制。由于产生的数据量巨大,数据的全球积累需要更高效的大容量存储解决方案。每天生成约 328.77 TB 的数据。今年将产生大约 120 ZB 的数据。非易失性存储器的速度和性能可与 DRAM 或 SRAM 等闪存技术相媲美,并且具有更高的存储密度(例如 ReRAM 和 STT RAM PCM)。
存储类型(海量、嵌入式)
预计大众市场的下一代内存市场在预测期内将占据约 52% 的最大份额。这是因为海量存储通常用于数据中心、企业存储系统、消费电子产品和其他需要大容量、快速访问速度和可靠数据保留的应用。全球大约有 8,000 个数据中心位置。全球数据中心约 20% 的容量使用了人工智能。
我们对全球市场的深入分析包括以下部分:
技术 |
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存储类型 |
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尺寸 |
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最终用户 |
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定制此报告下一代存储器产业 - 区域概要
北美市场预测
预计北美下一代内存市场在预测期内将占收入份额的 35%。北美地区率先采用了下一代技术和基础设施。在美国,IT是经济增长的重要推动力。需要开发更有效的处理系统,以应对北美地区技术的快速发展和跨部门不断增长的数据量。美国科技市场占全球经济总量的35%。 2023 年,美国科技行业预计将增长 5.4%。美国拥有超过 585,000 家科技公司。
亚太地区市场统计
预计亚太地区在预测期内将占据全球下一代内存市场约 28% 的份额。由于该地区主要消费电子产品的采用,尤其是智能手机、平板电脑和笔记本电脑,预计该地区将强劲增长。报告显示,到2021年,亚太地区手机使用率将达到74%,预计未来十年将增至84%。此外,预计同年将有 62% 的移动用户加入。
主导下一代内存领域的公司
- 英特尔公司
- 公司简介
- 经营策略
- 主要产品
- 财务绩效
- 关键绩效指标
- 风险分析
- 近期发展
- 区域分布
- SWOT分析
- 霍尼韦尔国际公司
- 美光科技公司
- 三星电子有限公司
- SK海力士公司
- Everspin 技术公司
- 南亚科技股份有限公司
- 金士顿科技公司
- 英飞凌科技股份公司
- 交叉开关公司
In the News
- SK海力士公司在业界率先开发出12层HBM31产品,内存容量为24GB 2,目前为业界最大。继2022年6月全球首款HBM3量产后,该公司成功开发出24GB封装产品,内存容量较之前产品增加了50%。
- 三星宣布开始批量生产第八代垂直 NAND (V-NAND) 芯片,以扩大下一代服务器系统的存储空间。这些芯片具有业界最高的位密度和存储容量。它们预计将使组织能够扩展下一代企业服务器的存储容量,同时将其用途扩展到汽车市场。
作者致谢: Abhishek Verma
- Report ID: 3724
- Published Date: Oct 09, 2024
- Report Format: PDF, PPT