磁阻 RAM (MRAM) 市场规模和份额,按技术(切换和自旋转移扭矩);产品(分立和嵌入式)和按应用(消费电子、航空航天和国防、机器人、企业存储、汽车)划分 - 全球供需分析、增长预测、统计报告 2024-2036

  • 报告编号: 2622
  • 发布日期: Oct 15, 2024
  • 报告格式: PDF, PPT

2024 年至 2036 年全球市场规模、预测和趋势亮点

磁阻 RAM (MRAM) 市场规模在 2023 年超过 13.2 亿美元,预计到 2036 年将超过 6820.3 亿美元,在预测期内(即 2024-2036 年)的复合年增长率超过 61.7%。2024 年,磁阻 RAM 的行业规模估计为 19.7 亿美元。

数字化和技术进步(例如物联网 (IoT) 和云计算)的不断普及以及对电子产品的需求不断增长是推动市场增长的一些重要因素。 


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磁阻 RAM (MRAM) 领域:增​​长动力与挑战

增长动力

替代内存产品的潜力将推动市场增长

研发创新读取访问存储器产品(如嵌入式和分立式 MRAM)的研究活动不断增加,推动了市场的增长。此外,磁阻 RAM (MRAM) 有可能取代闪存和其他电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)。预计这将显著扩大磁阻 RAM (MRAM) 市场。

电子设备和航空航天工业的需求不断增长,推动市场增长

由于 MRAM 具有良好的物理特性,例如耐高辐射、在极端温度下运行、防篡改和计算速度更快,因此电子、航空航天、国防和军事系统对低成本、小尺寸、节能的 MRAM 的需求不断增加。此外,它在企业存储解决方案中的应用减少了整体系统停机时间,从而进一步刺激了市场增长。在此基础上,预计全球磁阻 RAM (MRAM) 市场将在预测期内增长。

挑战

高成本和复杂界面阻碍市场增长

尽管技术不断进步,但设计和制造成本过高,对市场增长产生负面影响。此外,与内存相关的接口问题预计将阻碍未来市场的增长。

磁阻 RAM (MRAM) 市场:关键见解

基准年

2023

预测年份

2024–2036

复合年增长率

61.7%

基准年市场规模(2023 年)

13.2亿美元

预测年份市场规模(2036 年)

6820.3亿美元

区域范围

  • 北美 (美国和加拿大)
  • 拉丁美洲 (墨西哥、阿根廷、拉丁美洲其他地区)
  • 亚太地区 (日本、中国、印度、印度尼西亚、马来西亚、澳大利亚、亚太地区其他地区)
  • 欧洲 (英国、德国、法国、意大利、西班牙、俄罗斯、北欧、欧洲其他地区)
  • 中东和非洲 (以色列、海湾合作委员会北非、南非、中东和非洲其他地区)
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磁阻 RAM (MRAM) 分段

市场按应用细分为消费电子、航空航天和国防、机器人、企业存储、汽车等。在这些细分市场中,由于智能手机、笔记本电脑、电子可穿戴设备和数码相机的普及率不断提高,预计消费电子细分市场将在磁阻 RAM (MRAM) 市场中以最高速度增长,这些设备使用先进的存储设备来确保低能耗并缩短启动时间。 

我们对全球市场的深入分析包括以下部分:

           按技术分类

  • 切换
  • 自旋转移力矩

             按产品

  • 离散的
  • 嵌入式

 

 

           按应用

  • 消费电子产品
  • 航空航天和国防
  • 机器人
  • 企业存储
  • 汽车
  • 其他的

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磁阻 RAM (MRAM) 行业 - 区域概要

根据区域分析,磁阻 RAM (MRAM) 市场分为北美、欧洲、亚太、拉丁美洲和中东及非洲五大区域。

预计到 2036 年,北美磁阻 RAM (MRAM) 市场将占据大部分收入份额,因为企业正在转向数据中心,以降低技术基础设施成本,实现更快的计算速度、更低的功耗和更好的可扩展性,从而进一步增加产品需求。由于数据中心和信息技术中心基础设施的进步,预计亚太地区市场在预测期内将以最高速度增长。此外,由于原材料充足和劳动力廉价,互联网使用率和云计算普及率不断提高,以及中国和印度等国家内存制造商数量众多,进一步提高了对磁阻 RAM (MRAM) 市场的需求

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主导磁阻 RAM (MRAM) 领域的公司

    • Spin Memory 公司
      • 公司概况
      • 商业策略
      • 主要产品
      • 财务表现
      • 关键绩效指标
      • 风险分析
      • 近期发展
      • 区域影响力
      • SWOT 分析
    • 英特尔公司
    • 惠普企业发展有限公司
    • Everspin 技术公司
    • 高通技术公司
    • Avalanche 技术
    • 霍尼韦尔国际公司
    • NVE 公司
    • 东芝公司
    • Crocus Nano Electronics有限责任公司
    • 英飞凌科技股份公司

在新闻中

· 2016 年 9 月: Spin Memory, Inc. (STT) 宣布已制造出小至 20nm 的垂直 MRAM 磁隧道结([MTJ] 是 MRAM 存储单元的主要组件,也是 MRAM 器件的核心技术)。迄今为止报道的最小 MTJ 之一。

作者学分:  Abhishek Verma


  • 报告编号: 2622
  • 发布日期: Oct 15, 2024
  • 报告格式: PDF, PPT

常見問題 (FAQ)

预计2024年磁阻RAM产业规模为19.7亿美元。

磁阻 RAM (MRAM) 市场规模在 2023 年超过 13.2 亿美元,预计到 2036 年将超过 6820.3 亿美元,在预测期内(即 2024-2036 年)的复合年增长率将超过 61.7%。

预计到 2036 年,北美行业将占据大部分收入份额,因为企业正在转向数据中心,以降低技术基础设施的成本并实现更快的计算、更低的功耗和更好的可扩展性。

市场的主要参与者包括英特尔公司、惠普企业发展有限公司、Everspin 技术公司、高通技术公司、Avalanche 技术、霍尼韦尔国际公司、NVE 公司、东芝公司、Crocus Nano Electronics LLC、英飞凌科技股份公司等。
磁阻 RAM (MRAM) 市场报告范围
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